时间：2025/8/24 11:52:42
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NB80560T3是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管类别。这款晶体管被广泛用于射频（RF）和高频放大器应用，具有良好的高频性能和稳定性。NB80560T3采用SOT-223封装，适用于需要高增益和低噪声的射频电路设计。其设计使其成为无线通信、广播设备和射频测试仪器中理想的放大器元件。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流：150 mA
最大集电极-发射极电压：30 V
最大基极电流：20 mA
频率范围：800 MHz
过渡频率：8 GHz
噪声系数：1.5 dB（典型值）
封装类型：SOT-223
NB80560T3的主要特性包括高频率响应和低噪声系数，使其非常适合用于射频信号放大。该晶体管的工作频率范围可达8 GHz，适用于高频应用。其低噪声系数为1.5 dB，这在接收器前端和其他需要低噪声性能的应用中至关重要。
此外，NB80560T3具有良好的线性度和稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。它的SOT-223封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，确保晶体管在高频率工作时的可靠性。
这款晶体管还具有较高的增益带宽积，确保在高频下仍能提供足够的增益。其设计使其在射频放大器、低噪声放大器（LNA）和混频器等电路中表现出色。
NB80560T3广泛应用于射频和微波通信系统，特别是在需要低噪声放大的场合。它常用于无线基站、卫星通信设备、射频测试仪器和广播设备中的放大器电路。此外，它也被用于Wi-Fi、蓝牙和移动通信等无线模块的射频前端设计。
由于其高频率性能，NB80560T3也常用于雷达系统、射频识别（RFID）读写器以及各种高频信号处理电路。在测试设备中，它被用于构建低噪声前置放大器，以提高测量精度。
MBR9610LT1G, MMBR9546LT1G
