NB695GD-Z 时间：2025/8/20 0:20:16 阅读：7

NB695GD-Z是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件设计用于高频放大和开关应用，广泛应用于通信设备、音频放大器、电源管理和工业控制电路中。NB695GD-Z采用了先进的制造工艺，确保在高频下具有良好的性能和稳定性，同时具备较高的电流增益和较低的噪声系数。

参数

类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据电流不同）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

NB695GD-Z晶体管具有多个关键特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，其高截止频率（fT）达到100MHz，使得该晶体管非常适合用于高频放大器和射频电路。其次，NB695GD-Z具备较高的电流增益（hFE），范围从110到800，具体数值取决于工作电流。这使得该晶体管能够提供良好的信号放大能力，适用于低噪声前置放大器等应用。
　　该晶体管采用SOT-23封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。此外，NB695GD-Z的额定工作温度范围为-55°C至+150°C，使其能够在广泛的环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　在可靠性方面，NB695GD-Z通过了严格的测试标准，具备较高的稳定性和长寿命。其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，适用于中低功率的开关和放大电路。同时，该晶体管的低噪声特性使其在音频放大器和传感器接口电路中表现出色。

应用

NB695GD-Z晶体管广泛应用于多个领域，包括通信设备、音频放大器、电源管理、工业控制和消费类电子产品。在无线通信系统中，NB695GD-Z可用于射频信号放大和混频电路，提供良好的高频性能。在音频放大器设计中，该晶体管的低噪声和高增益特性使其适用于前置放大器和功率放大电路。
　　此外，NB695GD-Z也常用于数字电路中的开关应用，例如驱动LED、继电器和小型电机。在电源管理电路中，该晶体管可用于稳压器和DC-DC转换器的控制部分，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
　　由于其优异的温度特性和可靠性，NB695GD-Z也适用于汽车电子系统，如车载音频设备、传感器接口和车载通信模块。