NB691GG-Z 时间：2025/8/20 15:34:06 阅读：112

NB691GG-Z是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。这款晶体管以其高性能和可靠性广泛应用于各种电子电路中，特别是在需要较高电流增益和较低饱和压降的场合。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同的等级）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

NB691GG-Z具有优异的电气特性和稳定的工作性能，使其适用于多种应用场景。其高电流增益（hFE）范围为110到800，能够根据具体需求选择合适的等级，以满足不同电路设计的要求。该晶体管的过渡频率（fT）达到100MHz，表明其在高频应用中具有良好的响应能力。此外，NB691GG-Z的低饱和压降（Vce_sat）有助于减少功率损耗，提高电路效率。该晶体管的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，能够在各种环境条件下稳定工作。封装形式为SOT-23，这是一种小型化且常用的封装类型，适合表面贴装技术（SMT），便于在紧凑的电路板设计中使用。此外，NB691GG-Z的高可靠性使其在工业控制、消费电子和通信设备等领域得到了广泛应用。
　　在实际应用中，NB691GG-Z常用于开关电路、放大电路和缓冲电路。其NPN结构使其能够有效地放大输入信号，同时具备快速开关的能力，适合用于数字电路中的开关元件。此外，该晶体管的低噪声特性使其在音频放大器等应用中表现出色。由于其广泛的应用范围和可靠的性能，NB691GG-Z成为了电子设计中的常用元件。