NB691GG-Z是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。这款晶体管以其高性能和可靠性广泛应用于各种电子电路中,特别是在需要较高电流增益和较低饱和压降的场合。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Pd):300mW
电流增益(hFE):110-800(根据不同的等级)
过渡频率(fT):100MHz
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-23
NB691GG-Z具有优异的电气特性和稳定的工作性能,使其适用于多种应用场景。其高电流增益(hFE)范围为110到800,能够根据具体需求选择合适的等级,以满足不同电路设计的要求。该晶体管的过渡频率(fT)达到100MHz,表明其在高频应用中具有良好的响应能力。此外,NB691GG-Z的低饱和压降(Vce_sat)有助于减少功率损耗,提高电路效率。该晶体管的工作温度范围较宽,从-55°C到+150°C,能够在各种环境条件下稳定工作。封装形式为SOT-23,这是一种小型化且常用的封装类型,适合表面贴装技术(SMT),便于在紧凑的电路板设计中使用。此外,NB691GG-Z的高可靠性使其在工业控制、消费电子和通信设备等领域得到了广泛应用。
在实际应用中,NB691GG-Z常用于开关电路、放大电路和缓冲电路。其NPN结构使其能够有效地放大输入信号,同时具备快速开关的能力,适合用于数字电路中的开关元件。此外,该晶体管的低噪声特性使其在音频放大器等应用中表现出色。由于其广泛的应用范围和可靠的性能,NB691GG-Z成为了电子设计中的常用元件。
NB691GG-Z主要应用于开关电路、放大电路、缓冲电路以及各种电子控制系统中。其高频特性和低噪声性能使其在音频放大器、射频电路和通信设备中得到广泛应用。此外,该晶体管还适用于电源管理、传感器接口和数字逻辑电路等场景。
2N3904, BC547, PN2222A