NB686GQ-Z 时间：2025/8/19 22:50:28 阅读：19

NB686GQ-Z是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管，适用于高频率和高增益应用。该晶体管广泛用于射频（RF）放大器、混频器和开关电路等高频电子电路中。NB686GQ-Z具有优异的高频性能和低噪声特性，使其成为通信设备、消费类电子产品和工业控制系统中的理想选择。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　噪声系数：4 dB（典型值）

特性

NB686GQ-Z具有多项突出的电气特性，使其在高频应用中表现出色。首先，该晶体管具有较高的过渡频率（fT）达到100 MHz，能够满足大多数射频和中频放大器的需求。其次，NB686GQ-Z的噪声系数较低，典型值为4 dB，适合用于低噪声前置放大器的设计。此外，其hFE增益范围宽广，从110到800不等，可根据不同应用需求选择合适的等级。NB686GQ-Z采用SOT-23小型封装，节省PCB空间，同时具备良好的热稳定性和可靠性。该晶体管的工作温度范围较宽，能够在-55°C至+150°C的环境中稳定工作，适用于各种严苛的工业和消费类应用场景。

应用

NB686GQ-Z广泛应用于高频放大器、射频接收器、混频器、振荡器、开关电路以及低噪声放大电路。在无线通信设备中，NB686GQ-Z常用于前端信号放大和频率转换电路。此外，该晶体管也常用于音频放大器的前级放大、电压调节电路以及各种传感器信号调理电路中。由于其优异的高频特性和低噪声性能，NB686GQ-Z也广泛用于业余无线电设备、测试仪器和工业控制系统。