NB685AGQ-Z 时间：2025/8/20 2:27:26 阅读：36

NB685AGQ-Z是一款由ON Semiconductor生产的高性能、低功耗的双极型晶体管（BJT）阵列。该器件由两个NPN晶体管组成，适用于需要高可靠性和稳定性的电子电路设计。NB685AGQ-Z采用先进的制造工艺，具有优良的电气性能和热稳定性，广泛应用于工业控制、消费电子和汽车电子等领域。该器件封装在标准的16引脚SSOP（Shrink Small Outline Package）封装中，便于在高密度PCB设计中使用，同时提供了良好的散热性能。

参数

类型：双极型晶体管阵列
　　晶体管类型：NPN x2
　　最大集电极电流：100 mA
　　最大集电极-发射极电压：30 V
　　最大基极电流：5 mA
　　功耗：300 mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：16引脚SSOP

特性

NB685AGQ-Z具有多种优良特性，使其在复杂电路设计中表现出色。首先，其双NPN晶体管结构可以实现更高的集成度，从而减少PCB板的空间占用，适用于高密度电路设计。其次，该器件的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，使其能够在中等功率应用中稳定工作。此外，NB685AGQ-Z的低功耗设计有助于减少整体系统功耗，提高能效。
　　NB685AGQ-Z采用了先进的硅外延平面工艺，提供了良好的热稳定性和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境下仍能保持稳定运行。该器件的16引脚SSOP封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高效组装。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛的环境条件，包括工业控制、消费电子和汽车电子等应用场景。
　　在电气性能方面，NB685AGQ-Z具有较低的饱和压降（VCE(sat)），从而减少了功率损耗并提高了电路效率。同时，其快速开关特性使其适用于高频应用，如数字逻辑电路、信号放大电路和驱动电路等。该器件的高可靠性也使其成为长期运行设备的理想选择，例如自动化控制系统和传感器接口电路。