晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：15V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　频率范围：最高可达1GHz
　　电流增益（hFE）：在10mA集电极电流下典型值为80-600（具体取决于等级）
　　噪声系数（NF）：0.5dB（典型值，1GHz）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

NB679GDZ具有多项显著特性，使其在高频电路设计中表现出色。
　　首先，该晶体管具备优异的高频性能，能够在高达1GHz的频率下保持稳定的增益和低噪声系数，适用于射频放大器和混频器等高频电路。
　　其次，NB679GDZ具有低噪声系数（NF），典型值为0.5dB，使其非常适合用于前置放大器等对噪声敏感的应用中，有助于提高系统的整体信噪比。
　　此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，可根据具体应用需求选择不同等级的产品，从而实现最佳的电路性能。
　　NB679GDZ采用SOT-23封装，具有较小的体积和良好的热稳定性，适合高密度PCB布局和表面贴装工艺，广泛应用于通信设备、无线模块、测试仪器等电子产品中。
　　最后，该器件具有良好的热阻性能和可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。

NB679GDZ主要应用于高频电子电路中，尤其是在射频和通信领域。其主要应用包括：
　　射频放大器：用于Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线通信模块中的前置放大或中间频率放大电路。
　　混频器与振荡器：在射频收发系统中作为混频器或本振信号源的放大元件。
　　开关电路：由于其快速响应特性，适用于高频开关应用。
　　测试与测量设备：用于频谱分析仪、信号发生器等仪器中的高频信号处理电路。
　　此外，NB679GDZ也可用于音频放大器、传感器接口电路以及各种低功耗高频电子设备中。

2N3904, 2N2222, BFQ19, BFG21, BFR182