类型：MOSFET驱动器
　　通道数：2
　　驱动电流（峰值）：1.5A（典型值）
　　工作电压范围：4.5V 至 18V
　　传播延迟：15ns（典型值）
　　输入信号兼容性：TTL/CMOS
　　封装类型：SOIC-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输出电压范围：0V 至 VDD
　　静态电流：10μA（典型值）
　　输出上升/下降时间：5ns（典型值）
　　保护功能：过热保护（OTP）
　　封装类型：8-Pin SOIC

NB679AGDZ采用高性能CMOS工艺制造，具备出色的驱动能力和快速响应特性。其双通道结构支持独立控制，能够为两个功率器件提供高效的驱动信号。芯片内部集成的推挽式输出结构可以提供高达1.5A的峰值电流，从而加快MOSFET或IGBT的开通和关断速度，减少开关损耗。此外，NB679AGDZ具有低传播延迟（约15ns），确保信号传输的实时性，适用于高频开关应用。
　　该器件的工作电压范围宽，支持4.5V至18V供电，适用于多种电源设计场景。输入端兼容TTL和CMOS电平，便于与微控制器、PWM控制器等主控芯片连接。芯片还集成过热保护（OTP）功能，在温度超过安全阈值时自动关闭输出，防止损坏，提高系统可靠性。
　　NB679AGDZ采用标准的8引脚SOIC封装，体积小巧，便于在PCB上布局。其低静态电流（典型值10μA）有助于降低待机功耗，提高电源效率。此外，输出上升和下降时间仅为5ns，有助于减少开关噪声和EMI干扰，提升系统稳定性。

NB679AGDZ广泛应用于各种功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电源管理模块、电池充电器、UPS系统以及工业自动化设备。其高速驱动能力和良好的热稳定性使其在高频开关应用中表现出色，是高性能电源设计的理想选择。

NCP81079A, TC4420, IRS2104, LM5112, FAN3224