时间：2025/8/19 6:17:32
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NB671LGQZ是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的双极型晶体管（BJT）阵列集成电路，主要用于功率放大、开关应用及驱动电路。该芯片内部集成了两个NPN晶体管，适用于需要高电流和高增益的电路设计。NB671LGQZ采用16引脚TSSOP封装，具有良好的热性能和可靠性，适合在工业控制、电源管理和消费类电子产品中使用。
类型：双极型晶体管阵列
晶体管类型：2 x NPN
集电极-发射极电压（Vce）：50V
集电极电流（Ic）：100mA（每个晶体管）
功耗（Pd）：300mW
增益带宽积（fT）：100MHz
封装类型：TSSOP-16
NB671LGQZ的主要特性包括两个独立的NPN晶体管，支持高频率操作，适用于放大和开关应用。该器件具有较低的饱和压降，有助于减少功率损耗，提高能效。其高增益特性使其在小信号放大电路中表现优异，同时能够在较高的频率下稳定工作，适合用于射频和音频放大器。此外，NB671LGQZ的封装设计具有良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该芯片还具备较高的可靠性，适合在宽温度范围内工作，通常为-40°C至+125°C，适合工业级应用环境。其低噪声特性也使其适用于高精度信号处理电路，如传感器接口和仪表放大器设计。
在使用NB671LGQZ时，需要注意其最大额定参数，特别是集电极电流和功耗限制，以避免器件损坏。此外，由于其为双极型晶体管，使用时需提供适当的偏置电压，以确保晶体管处于合适的工作区域。
NB671LGQZ广泛应用于功率放大器、音频放大器、射频放大器、开关电路、电机驱动电路、继电器驱动、LED驱动、电源管理电路以及各种工业自动化和消费类电子产品中。
NPN晶体管阵列的替代型号包括ULN2003A（达林顿晶体管阵列，适合高电流驱动应用）、TIP120（NPN达林顿晶体管，适用于功率开关）、以及BC847系列（小信号NPN晶体管，适合低功耗信号放大和开关应用）。
