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NB671LGQZ 发布时间 时间:2025/8/19 6:17:32 查看 阅读:24

NB671LGQZ是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)推出的双极型晶体管(BJT)阵列集成电路,主要用于功率放大、开关应用及驱动电路。该芯片内部集成了两个NPN晶体管,适用于需要高电流和高增益的电路设计。NB671LGQZ采用16引脚TSSOP封装,具有良好的热性能和可靠性,适合在工业控制、电源管理和消费类电子产品中使用。

参数

类型:双极型晶体管阵列
  晶体管类型:2 x NPN
  集电极-发射极电压(Vce):50V
  集电极电流(Ic):100mA(每个晶体管)
  功耗(Pd):300mW
  增益带宽积(fT):100MHz
  封装类型:TSSOP-16

特性

NB671LGQZ的主要特性包括两个独立的NPN晶体管,支持高频率操作,适用于放大和开关应用。该器件具有较低的饱和压降,有助于减少功率损耗,提高能效。其高增益特性使其在小信号放大电路中表现优异,同时能够在较高的频率下稳定工作,适合用于射频和音频放大器。此外,NB671LGQZ的封装设计具有良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  该芯片还具备较高的可靠性,适合在宽温度范围内工作,通常为-40°C至+125°C,适合工业级应用环境。其低噪声特性也使其适用于高精度信号处理电路,如传感器接口和仪表放大器设计。
  在使用NB671LGQZ时,需要注意其最大额定参数,特别是集电极电流和功耗限制,以避免器件损坏。此外,由于其为双极型晶体管,使用时需提供适当的偏置电压,以确保晶体管处于合适的工作区域。

应用

NB671LGQZ广泛应用于功率放大器、音频放大器、射频放大器、开关电路、电机驱动电路、继电器驱动、LED驱动、电源管理电路以及各种工业自动化和消费类电子产品中。

替代型号

NPN晶体管阵列的替代型号包括ULN2003A(达林顿晶体管阵列,适合高电流驱动应用)、TIP120(NPN达林顿晶体管,适用于功率开关)、以及BC847系列(小信号NPN晶体管,适合低功耗信号放大和开关应用)。

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