类型：NPN双极型晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大发射极-基极电压（VEB）：5 V
　　最大功耗（PD）：200 mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同档位）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　饱和压降（VCE(sat)）：0.2 V（典型值，IC=10 mA时）

NB671LAGQZ是一款高性能的NPN晶体管，具备优异的高频响应能力，适用于需要高速开关和信号放大的电路设计。其电流增益范围宽广，从110到800不等，具体取决于产品分档，这使得设计者可以根据不同的应用需求选择合适的增益档次。该晶体管在高频条件下仍能保持稳定的增益表现，适用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路。
　　此外，NB671LAGQZ具有较低的饱和压降，在开关应用中能够减少功率损耗，提高系统效率。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还具备良好的热稳定性和机械强度。该器件的工作温度范围较宽，支持从-55°C到+150°C的工业级温度范围，适用于各种严苛环境下的应用。
　　值得一提的是，NB671LAGQZ在设计上优化了噪声性能，使其在音频放大和低噪声前置放大器中表现出色。同时，其较低的输入阻抗和较高的输出阻抗特性也有助于提升电路的匹配性能。

NB671LAGQZ适用于多种电子系统和模块，特别是在高频和低噪声应用中表现出色。典型应用包括射频（RF）放大器、中频（IF）放大器、音频前置放大器、低噪声放大器（LNA）等。在通信系统中，该晶体管可用于无线接收机和发射机中的信号放大与调制解调电路。
　　在消费电子领域，NB671LAGQZ可用于便携式音频设备、耳机放大器、麦克风前置放大器等应用。在工业控制和自动化系统中，该晶体管可作为高速开关元件，用于控制继电器、LED驱动、传感器信号调理等场景。
　　此外，NB671LAGQZ还可用于电源管理电路中的稳压器、DC-DC转换器以及电池充电电路中的开关控制部分。由于其良好的温度稳定性和可靠性，该晶体管也常用于汽车电子、医疗设备和测试测量仪器等对性能要求较高的领域。

2N3904, BC547, 2N2222A, PN2222A, MPS2222A