NB671AGQ-Z 时间：2025/8/20 6:33:39 阅读：33

NB671AGQ-Z 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的低电压 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高效率，适用于负载开关、DC-DC 转换器、电机控制和电池供电设备等场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6.5A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS = 10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.1V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSSOP

特性

NB671AGQ-Z 具备多项优异性能，适用于高效率电源管理系统。其主要特性包括：
　　? 低导通电阻（RDS(on)）：该器件在 VGS = 10V 时的 RDS(on) 典型值仅为 32mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　? 高电流承载能力：最大连续漏极电流可达 6.5A，适用于中高功率负载应用。
　　? 快速开关特性：具备低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），适合高频开关操作，减少开关损耗。
　　? 宽泛的工作温度范围：支持从 -55°C 至 +150°C 的温度范围，适应各种恶劣工作环境。
　　? 低栅极阈值电压：栅极阈值电压较低，支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器或数字电路控制。
　　? TSSOP 封装：提供良好的热性能和空间节省，适用于紧凑型 PCB 设计。
　　这些特性使 NB671AGQ-Z 成为高性能电源管理、负载开关、马达控制及电池供电设备的理想选择。

应用

NB671AGQ-Z MOSFET 主要应用于以下领域：
　　? 电源管理模块：用于 DC-DC 转换器、同步整流器等，提高能效和稳定性。
　　? 负载开关：适用于控制电源路径，如在多电源系统中切换不同电源源。
　　? 电机控制电路：用于 H 桥驱动、电机启停控制等，提供快速响应和高效能。
　　? 电池供电设备：如笔记本电脑、平板、手持设备等，实现低功耗与高效能平衡。
　　? 工业自动化系统：用于继电器替代、PLC 输出控制等场合。
　　? 通信设备：用于基站电源、网络交换设备中的功率管理单元。