类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A（在VGS=10V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值40mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（Ptot）：3.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：DFN2020-6（双侧散热）

NB670GQP采用了Nexperia先进的Trench沟槽技术，使得器件在导通状态下的电阻非常低，从而降低了功率损耗并提高了整体效率。其40mΩ的RDS(on)在10A电流下表现优异，适用于高效率的DC-DC转换器和同步整流器应用。
　　该器件支持高达60V的漏源电压，能够应对多种电源应用需求。其栅极设计支持±20V的电压范围，使其在高电压驱动条件下依然保持稳定性能。
　　NB670GQP采用了DFN2020-6封装，具有双侧散热功能，能够在高电流工作条件下有效散热，提高器件的可靠性。这种小型化封装也使得该MOSFET非常适合高密度电路板设计，尤其适用于空间受限的便携式设备和电源模块。
　　此外，NB670GQP具有出色的热稳定性，能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适应各种严苛的工作环境。器件内部的沟槽结构优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和可靠性。

NB670GQP主要用于各种高功率电子系统中，包括电源管理模块、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET非常适合用于高效率电源转换系统，例如笔记本电脑电源、服务器电源和工业控制设备。其DFN封装设计也使其适用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路。此外，该器件还可用于汽车电子系统中的功率控制应用，如车载充电器、LED照明和电机驱动电路。

SiSS14DN, TPS61020, AO4406A, IPD65R045CFD7S