时间：2025/8/20 4:40:55
阅读：24
NB669GQ-Z 是一颗由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型高频晶体管，广泛应用于射频（RF）和高频放大电路中。该晶体管采用了先进的制造工艺，具有良好的高频响应和线性放大性能，适用于无线通信、广播设备、射频模块等高频电子系统。NB669GQ-Z 封装形式为 TO-92，便于手工焊接和在各类 PCB 板上安装。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
最大功耗（Ptot）：300mW
过渡频率（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110-800（分档）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
NB669GQ-Z 的主要特性在于其优异的高频性能和稳定的放大能力。该晶体管的过渡频率 fT 高达 100MHz，使其能够在高频信号放大中表现出色。电流增益 hFE 范围为 110 至 800，具体取决于不同的生产批次，用户可以根据需要选择适合的增益等级。此外，NB669GQ-Z 具有较低的噪声系数，适用于前置放大器等对噪声敏感的应用场景。其 TO-92 封装结构紧凑，散热性能良好，能够在较高频率和功率下稳定工作。
该晶体管还具备良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下依然能够保持稳定的电气性能。其最大工作温度可达 +150°C，适合在工业级和商业级电子设备中使用。NB669GQ-Z 的设计也考虑到了线性度和失真控制，适用于模拟信号放大和射频调制电路。由于其优异的综合性能，NB669GQ-Z 被广泛应用于无线通信系统、射频接收器、音频放大器以及各类传感器电路中。
NB669GQ-Z 主要应用于射频和音频信号放大电路、无线通信模块、射频接收前端、低噪声放大器（LNA）、射频混频器、振荡器、调制解调电路、传感器信号调理电路、音频前置放大器等场景。此外，它也常用于教学实验和电子爱好者项目中，作为高频电路设计的理想选择。
2N3904, BC547, PN2222
