NB650AGLP是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管,属于NPN型高频晶体管。该晶体管设计用于高增益和高频率应用,广泛应用于射频(RF)放大器、音频放大器和各种通用放大电路中。NB650AGLP采用SOT-23封装,适用于需要紧凑设计和高效性能的电子设备。
类型:NPN型晶体管
最大集电极电流(IC):100 mA
最大集电极-发射极电压(VCE):30 V
最大集电极-基极电压(VCB):30 V
最大功耗(PD):300 mW
最大工作温度:150°C
电流增益(hFE):110 - 800(根据档位不同)
频率响应:250 MHz(典型值)
封装类型:SOT-23
NB650AGLP晶体管具有优异的高频响应特性,适用于需要高频率放大的应用场景。该晶体管在射频(RF)电路中表现出色,能够提供稳定的增益和低噪声性能。此外,NB650AGLP还具备较高的电流增益范围(hFE),可根据具体应用需求选择不同的档位以实现最佳性能。其紧凑的SOT-23封装设计有助于节省电路板空间,适用于便携式设备和高密度电路设计。NB650AGLP的工作温度范围广泛,能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定运行,适用于多种环境条件下的应用。该晶体管还具备良好的热稳定性和可靠性,能够确保长时间运行的稳定性。
NB650AGLP晶体管广泛应用于射频(RF)放大器、音频放大器、信号放大器等高频电路中。它也常用于低噪声放大器、前置放大器以及需要高增益和高频响应的电子设备。此外,NB650AGLP还可用于通用放大电路、传感器信号放大、通信设备和便携式电子产品中的信号处理模块。
BC547, 2N3904