类型：JFET 输入运算放大器
　　电源电压范围：±4.5V 至 ±18V
　　输入噪声电压：4nV/√Hz
　　输入偏置电流：5pA（最大）
　　输入失调电压：0.3mV（最大）
　　增益带宽积：4MHz
　　压摆率：1.5V/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：16 引脚 SOIC
　　输出电流：±25mA（典型）
　　共模抑制比（CMRR）：96dB
　　电源抑制比（PSRR）：96dB

NB648EQJLFZ 具备多项优异的电气特性，首先其 JFET 输入结构提供了极高的输入阻抗，通常达到 10^12Ω，这对于高阻抗信号源的应用至关重要，可以最大限度地减少对信号源的影响。此外，该器件的输入噪声电压极低，仅为 4nV/√Hz，这使其非常适合用于需要高信噪比的精密测量系统。
　　该芯片的输入偏置电流极低，最大仅为 5pA，显著降低了由于输入偏置电流引起的误差，这对于传感器接口和高精度数据采集系统尤为重要。输入失调电压也控制在非常低的水平，最大为 0.3mV，确保了在微弱信号放大时的准确性。
　　NB648EQJLFZ 还具有 4MHz 的增益带宽积和 1.5V/μs 的压摆率，能够支持中频范围内的信号处理需求，适用于音频放大、滤波器设计以及高速模拟信号处理。其 ±25mA 的输出电流能力也足以驱动大多数模拟负载。
　　此外，该器件具有良好的共模抑制比（CMRR）和电源抑制比（PSRR），分别为 96dB，能够在存在电源波动或共模干扰的环境下保持信号的完整性。其工作温度范围为 -40°C 至 +125°C，适应于工业级环境的应用需求。

NB648EQJLFZ 广泛应用于需要高精度和低噪声性能的场合。例如，在工业自动化系统中，该芯片可用于传感器信号的高精度放大；在测试与测量设备中，它可用于高分辨率数据采集系统；在医疗设备中，如心电图仪、血糖仪等，其低噪声和高稳定性确保了信号采集的准确性。
　　此外，NB648EQJLFZ 也可用于音频放大电路、有源滤波器、精密比较器、电压跟随器等通用模拟电路设计。由于其宽电源电压范围，它也适用于便携式电池供电设备中的信号调理电路。

LF412CN/NOPB, TL072CDR, OPA2134PA