晶体管类型：NPN 双极晶体管阵列
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据工作电流不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23-5（小型表面贴装）

NB633EL-LE-P 晶体管阵列采用先进的制造工艺，确保了器件在低电压条件下的高效运行。其两个集成的 NPN 晶体管具有高度匹配的电气特性，适合需要精确匹配的应用，如差分放大器、逻辑门电路等。
　　该器件的最大集电极-发射极电压为 30V，集电极电流为 100mA，适用于中等功率的开关和放大任务。其电流增益 hFE 可根据工作电流的不同，在 110 至 800 范围内变化，提供良好的信号放大能力。
　　此外，NB633EL-LE-P 的过渡频率 fT 高达 100MHz，意味着它能够在高频环境下保持良好的增益性能，适用于高速开关和射频前端应用。其小型 SOT-23-5 封装形式便于在高密度 PCB 设计中使用，同时降低了寄生效应的影响。
　　该器件的功耗较低，适合在对功耗敏感的应用中使用。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其在恶劣环境条件下依然能够稳定工作。

NB633EL-LE-P 常用于需要高速响应和低功耗的电路设计中。典型应用包括数字逻辑电路中的开关元件、驱动 LED 或继电器的小功率驱动电路、模拟放大器中的增益级、信号调理电路中的缓冲器以及射频（RF）信号处理电路中的低噪声放大器。
　　此外，该器件也广泛应用于通信设备、工业控制系统、消费电子产品、汽车电子以及传感器接口电路中，尤其适合需要双晶体管配置的差分放大或推挽输出结构。

MMBT3904LT1G, 2N3904, BC847B, 2N4401