NB632EL-LF-P是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),采用NPN结构,主要用于高频放大和开关应用。这款晶体管设计用于需要高速性能的电子电路,例如射频(RF)电路、电源管理和信号放大电路。
类型:NPN双极型晶体管
最大集电极电流:100 mA
最大集电极-发射极电压:30 V
最大基极电流:20 mA
最大功耗:300 mW
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-23
过渡频率:250 MHz
NB632EL-LF-P晶体管具有优异的高频性能,适用于高频放大器和快速开关电路。
其SOT-23封装提供了良好的热管理和空间效率,非常适合在紧凑的PCB设计中使用。
该器件的过渡频率(fT)为250 MHz,表明其在高频操作中具有出色的增益带宽性能。
此外,NB632EL-LF-P的低噪声系数使其非常适合用于前置放大器和其他低噪声应用场景。
该晶体管的最大集电极-发射极电压为30V,允许在较高的电压条件下工作,同时保持较低的功耗。
其最大集电极电流为100mA,适用于中等功率的开关和放大应用。
由于其高性能和可靠性,NB632EL-LF-P广泛用于通信设备、音频放大器和各种消费类电子产品。
NB632EL-LF-P晶体管常用于射频(RF)放大器、高频开关电路和低噪声前置放大器的设计。
它适用于需要高速响应的数字和模拟电路,如电源管理模块、信号调节电路和音频放大电路。
此外,该晶体管也广泛应用于通信系统、消费类电子产品和工业控制系统中,提供高效的信号放大和开关功能。
在音频设备中,NB632EL-LF-P可用于前置放大器和音频信号处理电路,以提高信号的清晰度和稳定性。
在射频电路中,它可用于天线信号的放大和处理,确保信号的高效传输和接收。
2N3904, BC547, PN2222