晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

NB522GJ-Z 具备多项优异特性，适用于多种电子电路设计需求。首先，其 NPN 结构使其在开关和放大电路中表现优异，尤其是在低功率应用中具有较高的效率。该晶体管的 hFE 值范围较宽（110-800），能够适应不同电路设计对增益的要求。
　　其次，NB522GJ-Z 具有高达 100MHz 的过渡频率（fT），表明其在高频应用中仍能保持良好的性能，适用于射频（RF）放大器和高速开关电路。此外，其 SOT-23 小型封装不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的热稳定性和机械强度。
　　该晶体管的最大集电极-发射极电压为 30V，最大集电极电流为 100mA，适合中低功率应用。其最大功耗为 300mW，在正常工作条件下不易因过热而损坏。NB522GJ-Z 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　此外，该器件采用无铅封装，符合 RoHS 环保标准，满足现代电子产品对环保材料的要求。

NB522GJ-Z 广泛应用于多个电子领域。在消费电子产品中，常用于音频放大器、开关电路和逻辑电平转换等场景。在工业控制设备中，可用于继电器驱动、信号放大和传感器接口电路。此外，该晶体管在通信设备中也可用于 RF 放大和信号处理，尤其是在低功率无线模块中表现良好。
　　由于其良好的频率响应特性，NB522GJ-Z 也常用于振荡器、定时电路和脉冲调制电路。在汽车电子系统中，如车载娱乐系统、车身控制模块和车载充电器中，该晶体管能够提供稳定的性能和较长的使用寿命。
　　另外，NB522GJ-Z 也可作为数字电路中的开关元件，用于驱动 LED、小型电机和继电器等负载。在嵌入式系统和微控制器应用中，常用于扩展输出端口或增强驱动能力。

BC547, 2N3904, PN2222A