NB502GQ 时间：2025/8/19 11:29:22 阅读：10

NB502GQ是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双路N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频开关应用，适用于电源管理和DC-DC转换器等电路中。NB502GQ采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高电流条件下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：5.6A（最大）
　　漏源极电压（Vds）：20V
　　栅源极电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSOP
　　配置：双路（Dual N-Channel）

特性

NB502GQ采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高系统效率。其双路N沟道结构允许在一个封装中集成两个独立的MOSFET，适用于同步整流和双向开关应用。NB502GQ的封装设计具有良好的散热性能，能够在高温环境下保持稳定工作。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持低至2.5V的逻辑电平驱动，适用于多种控制器和微处理器接口。此外，NB502GQ具有快速的开关特性，能够适应高频工作环境，降低开关损耗。其内部结构优化了EMI（电磁干扰）性能，有助于满足严格的电磁兼容性要求。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，NB502GQ在电池供电设备、负载开关、电源管理模块、电机驱动器和DC-DC转换器等应用中表现出色。同时，其高可靠性设计确保了在严苛环境下的长期稳定运行。