晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率范围：250MHz
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　封装类型：TO-92
　　工作温度范围：-55°C至150°C

NB502GQ-Z晶体管具有以下显著特性：
　　1. 高频性能：NB502GQ-Z的工作频率高达250MHz，使其非常适合射频和高频放大应用。这种高频特性得益于其优化的内部结构和材料选择，确保了在高频下依然能够保持稳定的性能。
　　2. 小信号增益：作为一款小信号晶体管，NB502GQ-Z具有良好的电流增益（hFE），在各种工作条件下能够提供稳定的放大效果。其增益值通常在几十到几百之间，具体取决于工作电流和电压。
　　3. 低噪声特性：该晶体管的设计使其在放大过程中产生的噪声较低，适用于需要高信噪比的电路，如音频前置放大器或射频接收器。
　　4. 封装形式：NB502GQ-Z采用标准的TO-92封装，这是一种广泛使用的三引脚封装形式，便于手工焊接和PCB布局，同时也具备良好的散热能力。
　　5. 工作温度范围宽：该器件可以在-55°C至150°C的温度范围内正常工作，适合在极端环境条件下使用，例如工业控制或汽车电子系统。
　　6. 高可靠性：由于采用了成熟的半导体制造工艺，NB502GQ-Z在长期使用中表现出较高的稳定性和可靠性，减少了电子设备的故障率。

NB502GQ-Z晶体管广泛应用于多个领域，包括：
　　1. 射频（RF）放大器：由于其高频率特性，NB502GQ-Z常用于射频信号放大，如无线通信设备、天线放大器和射频测试仪器。
　　2. 音频放大电路：在音频设备中，NB502GQ-Z可以作为前置放大器，提供低噪声和高保真的信号放大。
　　3. 开关电路：该晶体管可用于数字电路中的开关应用，例如继电器驱动、LED控制和逻辑门电路。
　　4. 工业控制系统：由于其宽温度范围和高可靠性，NB502GQ-Z适用于工业自动化和控制系统的传感器信号处理和执行机构驱动。
　　5. 汽车电子：在汽车电子系统中，NB502GQ-Z可以用于发动机控制单元（ECU）、车载音响系统和车身电子控制模块。

BC547, 2N3904, PN2222