NAND512R3A2CZA6E
时间:2023/4/12 11:20:02
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概述
类别:集成电路 (IC)
家庭:存储器
格式 - 存储器:FLASH
存储器类型:闪存 - 与非
存储容量:512M (64M x 8)
接口:串行
电源电压:1.7 V ~ 1.95 V
工作温度:-40°C ~ 85°C
封装/外壳:63-VFBGA
包装:托盘
NAND512R3A2CZA6E推荐供应商
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- NAND512R3A2CZA6E
- 深圳市郓州科技有限公司
- 8000
- Micron
- 23+/63VFBGA (9x11)
-
NAND512R3A2CZA6E参数
- 标准包装210
- 类别集成电路 (IC)
- 家庭存储器
- 系列-
- 格式 - 存储器闪存
- 存储器类型闪存 - NAND
- 存储容量512M(64M x 8)
- 速度-
- 接口并联
- 电源电压1.7 V ~ 1.95 V
- 工作温度-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳63-TFBGA
- 供应商设备封装63-VFBGA(9x11)
- 包装托盘