时间：2025/4/30 19:29:05
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NAND01GW3B2BN6E 是一款由东芝（现为铠侠）生产的 NAND 闪存芯片，采用 3D TLC 技术制造，具备高存储密度和较低功耗的特点。该芯片广泛应用于消费类电子产品、嵌入式系统和工业设备中，提供大容量数据存储解决方案。
该型号属于 BiCS（Bit Cost Scalable）架构的 NAND 系列，利用垂直堆叠技术提高单位面积内的存储容量，同时确保数据读写速度和可靠性。
容量：128GB
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
I/O 数据宽度：8位
最大读取速度：400 MB/s
最大写入速度：200 MB/s
擦除块大小：8 MB
页面大小：16 KB
寿命（P/E周期）：约3000次
NAND01GW3B2BN6E 采用了先进的 3D NAND 技术，其主要特性包括：
1. 高存储密度：通过垂直堆叠多层存储单元，实现了比传统平面 NAND 更高的存储密度。
2. 快速性能：支持 Toggle DDR 2.0 接口协议，显著提升数据传输速率。
3. 节能设计：优化了电源管理方案，在运行和待机状态下均具有低功耗表现。
4. 可靠性：内置 ECC（Error Correction Code）引擎，能够有效纠正数据错误，延长产品使用寿命。
5. 广泛兼容性：适用于各种主流主控芯片，便于与不同平台集成。
NAND01GW3B2BN6E 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为核心存储介质，用于消费级和企业级 SSD 中。
2. 嵌入式设备：如智能手机、平板电脑等便携式电子设备中的内部存储。
3. 工业控制：在需要高可靠性和大容量存储的工业场景中使用。
4. 数码相机和摄像机：为多媒体设备提供高速且稳定的存储功能。
5. 物联网终端：满足智能硬件对高效存储的需求。
NAND01GW3B2BN5E
NAND01GW3B2BN7E
