工作电压：3.3V - 5V
　　隔离电压：2500VRMS
　　数据速率：最大10Mbps
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：16引脚SSOP
　　通道数：1个隔离通道
　　电源电流（典型值）：5mA
　　输入逻辑电平：兼容TTL/CMOS

NA10-V2S15芯片的核心技术基于NVE公司专利的GMR（巨磁阻）效应，这种技术相比于传统的光耦隔离器具有显著优势，包括更高的可靠性、更长的寿命、更低的功耗以及更快的传输速度。
　　该芯片内置了高磁灵敏度的GMR传感器，能够将输入端的电信号转换为磁场信号，然后在输出端重新转换为电信号，从而实现电气隔离。这种无光耦的设计避免了传统光耦因LED老化导致的性能下降问题，确保了长期使用的稳定性。
　　NA10-V2S15具有高达2500VRMS的隔离电压，满足UL、CSA、VDE等多项国际安全标准，适用于需要高安全性隔离的应用场合，如医疗设备、工业控制和电力监测系统。
　　此外，该芯片支持3.3V至5V的宽电源电压范围，便于与各种微控制器和数字系统接口。其数据传输速率可达10Mbps，适用于高速信号隔离场景。芯片内部集成有噪声抑制电路和输入输出缓冲器，提高了抗干扰能力和系统稳定性。
　　在热性能方面，NA10-V2S15的工作温度范围为-40°C至+85°C，适应工业级环境要求。封装形式为16引脚SSOP，体积小巧，便于PCB布局和系统集成。

NA10-V2S15广泛应用于需要电气隔离的电子系统中，典型应用包括工业自动化控制系统中的信号隔离、PLC（可编程逻辑控制器）与现场设备之间的隔离接口、电机驱动器与控制器之间的隔离电路、智能电网和电力监测设备中的电流电压信号隔离传输。
　　在通信系统中，该芯片可用于隔离RS-485、CAN总线等通信接口，防止地电位差引起的信号干扰和设备损坏。此外，在医疗电子设备中，NA10-V2S15可作为病人与设备之间的安全隔离屏障，确保符合IEC 60601等医疗安全标准。
　　由于其高可靠性和长寿命特性，NA10-V2S15也常用于航空航天、军事装备等高可靠性要求的领域。例如，在飞行控制系统、雷达设备、卫星通信模块中作为关键的隔离元件使用。
　　在嵌入式系统开发中，NA10-V2S15可用于保护微控制器或数字信号处理器（DSP）免受高压或噪声干扰，提升系统整体的抗干扰能力和安全性。

SI8641, ADuM141E, ISO7241, AMC1100