类型：只读存储器（ROM）
　　容量：256位（32 x 8）
　　封装形式：24引脚DIP
　　电源电压：5V（典型值）
　　逻辑电平：TTL兼容
　　工作温度范围：0°C至70°C（商业级）
　　访问时间：约55ns（最大值）
　　引脚排列：标准ROM引脚配置
　　输出类型：三态输出

N82S21B是一款典型的TTL ROM芯片，具有较高的稳定性和兼容性，适用于多种早期的数字系统设计。该芯片采用双极型晶体管工艺制造，具备较快的访问速度，通常在55ns以内完成数据读取操作，适用于需要快速响应的系统应用。其三态输出结构允许直接连接到数据总线上，支持多芯片共用数据总线的设计方式，提高了系统的集成度。
　　该芯片的工作电压为标准5V，与大多数TTL和CMOS逻辑电路兼容，便于在各种系统中使用。其24引脚DIP封装形式使得它在实验开发和原型设计中非常方便，适合用于教学、科研和早期计算机系统开发。
　　N82S21B的内部存储结构为32字节（256位），按8位宽度排列，即每个地址对应一个8位的数据字节。这种结构非常适合用于存储固定程序、查找表或字符集等信息。其只读特性保证了数据不会被意外修改，提高了系统运行的可靠性。
　　此外，N82S21B具有良好的抗干扰能力，在工业环境和嵌入式系统中有较好的应用表现。尽管该芯片已经被现代的可编程存储器技术所取代，但在某些复古电子设备修复、经典计算机重建或特定应用场合中仍具有一定的使用价值。

N82S21B主要用于早期的计算机系统、工业控制设备、测试仪器和嵌入式系统中作为程序存储器或固定数据存储单元。例如，在早期的微型计算机、游戏机、工业自动化控制器和通信设备中，该芯片常用于存储启动代码、基本输入输出系统（BIOS）或固定算法表。由于其只读特性，该芯片也适合用于存储字符发生器、图形数据、校准数据等不可更改的信息。
　　此外，N82S21B在教学实验和电子爱好者项目中也得到了广泛应用，特别是在学习TTL逻辑电路、存储器接口设计和早期计算机体系结构时，作为实践教学的重要组成部分。

2732 EPROM, N82S23, 27C256