制造商: Texas Instruments
　　产品类别: 存储器 - 可编程只读存储器（PROM）
　　存储容量: 256位 (32字 x 8位)
　　组织结构: 32 x 8
　　编程方式: 一次性可编程（OTP），基于熔丝技术
　　电源电压: +4.75V 至 +5.25V
　　输入电平: TTL 兼容
　　输出电平: TTL 兼容
　　访问时间（典型值）: 35ns - 55ns（根据速度等级）
　　封装类型: 16引脚 DIP（Dual In-line Package）
　　工作温度范围: 0°C 至 +70°C
　　引脚配置: 标准JEDEC 16-pin DIP，包括14根地址线（A0-A13）、8根数据线（O0-O7）、芯片使能（CE）、电源（VCC）和地（GND）
　　编程电流: 需外部编程器提供高电流脉冲以熔断指定熔丝

N82S141N的核心特性之一是其基于熔丝结构的一次性可编程机制。在出厂时，所有存储单元默认处于导通状态（逻辑1），用户通过专用编程器施加高电压和大电流，有选择性地烧断特定交叉点上的熔丝，从而将对应位编程为逻辑0。这一过程不可逆，确保了数据的安全性和防篡改性，适用于需要防止后续修改的应用环境。
　　N82S141N具备高速访问能力，典型存取时间为35ns至55ns，这在当时属于高性能水平，能够满足高速数字系统的时序要求，例如在早期的CPU控制单元中用作微代码存储器。其TTL电平兼容性使其可以直接与74系列逻辑器件、微处理器和微控制器接口，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
　　该器件采用32x8的组织结构，共14根地址线（A0-A13），可寻址32个8位字。每个地址输出一个完整的字节，适合实现复杂的真值表或查找表（LUT）。在组合逻辑设计中，它可以替代大量离散逻辑门，显著减少PCB面积和功耗。例如，在地址译码器中，多个输入地址线连接到A0-A13，输出的8位数据可直接驱动多个设备的片选信号。
　　由于其双极型工艺制造，N82S141N具有较强的驱动能力，输出可直接驱动多个TTL负载。同时，它对噪声有一定的容忍度，适合在电磁环境较复杂的工业控制系统中使用。然而，双极型技术也导致其静态功耗相对较高，不适合电池供电或低功耗应用。
　　此外，N82S141N支持并行编程和读取操作，编程过程直观且易于自动化。许多老式编程器都内置了对该型号的支持，保证了编程的可靠性。尽管现代替代方案更为灵活，但在维护 legacy 系统时，N82S141N仍然是不可或缺的关键元器件。

N82S141N最初被广泛应用于各类数字系统中，作为实现固定逻辑功能的经济高效解决方案。一个典型应用场景是微程序控制器中的控制存储器，用于存储CPU执行指令所需的微操作序列。在这种架构中，指令的操作码作为地址输入到N82S141N，输出的8位数据则表示一组控制信号，驱动ALU、寄存器文件和总线系统协同工作。由于微代码一旦调试完成便很少更改，因此OTP特性反而成为优势，避免了误写风险。
　　在工业自动化领域，N82S141N常被用作状态编码转换器或I/O映射表。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）或数控机床中，输入的状态信号组合可作为PROM地址，输出则定义相应的动作序列或驱动信号。这种方式比使用复杂组合逻辑电路更易于设计和维护。
　　通信设备中，该芯片可用于协议转换、字符编码（如EBCDIC到ASCII转换）或帧同步模式匹配。通过预先编程特定的数据模式，N82S141N可以快速识别输入数据流中的关键字段，提升处理效率。
　　此外，它还被用于早期计算机的BIOS或引导ROM、键盘矩阵扫描编码、显示器字符生成（字符发生器ROM）、以及测试设备中的固定校准数据存储。在军事和航空航天系统中，由于其可靠性和抗干扰能力，即使在新型号中仍有使用或备用需求。
　　目前，虽然新设计已不再采用此类器件，但在设备维修、备件替换和历史设备复原项目中，N82S141N仍具有不可替代的作用。许多工程师依赖其稳定的电气特性和长期供货记录来维持旧系统的运行。

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　　 "MCM82S141N",
　　 "DM82S141N",
　　 "MBM82S141N",
　　 "SNJ82S141N",
　　 "MM82S141N"
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