型号：N82S135D
　　封装类型：DIP-24
　　存储容量：512 x 8 位（共4096位）
　　电源电压：+4.75V 至 +5.25V（典型5V）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　访问时间（最大）：35ns（部分版本为45ns或55ns）
　　编程电压：+21V 至 +25V（需专用编程器提供高压脉冲）
　　输出类型：三态输出，支持总线连接
　　引脚排列：JEDEC标准24-pin DIP布局
　　兼容性：与82S135系列完全兼容
　　编程寿命：一次可编程（OTP）
　　功耗：典型静态电流约80mA，动态更高
　　输入电平兼容：TTL电平输入

N82S135D 的核心特性之一是其高速读取能力，典型访问时间低至35纳秒，这使其在早期微处理器系统中能够无缝配合CPU进行指令读取，避免了等待周期，提升了整体系统性能。该芯片采用双极性晶体管技术结合肖特基势垒二极管，有效防止晶体管饱和，从而显著降低开关延迟，提高响应速度。这种工艺虽然功耗相对较高，但在对速度要求严苛的应用中具有明显优势。芯片内部结构为512个地址单元，每个单元存储8位数据，形成一个512x8的存储矩阵，通过A0-A8九条地址线寻址，输出端口D0-D7提供并行数据输出。所有输入引脚均设计为TTL电平兼容，可直接与常见的逻辑电路或微控制器接口连接，无需额外电平转换。
　　N82S135D 支持三态输出控制，允许多个存储器或外设共享同一数据总线，通过片选（CE）和输出使能（OE）信号实现精确的时序控制。当芯片未被选中时，输出处于高阻态，不会干扰总线上的其他设备。该器件为一次性可编程（OTP）类型，编程过程需要专用编程器施加高于常规电压的编程脉冲（通常为21V以上）到指定地址和数据线上，触发内部熔丝或反熔丝结构的物理变化，从而永久写入数据。编程后无法擦除或修改，因此在编程前必须确保数据准确无误。
　　该芯片的工作电压范围限定在4.75V至5.25V之间，属于标准TTL电源范围，适合集成在5V数字系统中。其商业级工作温度为0°C至70°C，适用于室内环境下的工业控制、通信模块和测试设备。尽管现代CMOS工艺的EEPROM和Flash存储器在功耗和可重写性方面更具优势，但N82S135D凭借其确定性的高速读取和抗干扰能力强的特点，在某些特定领域仍有应用价值。此外，由于其历史悠久，许多旧设备维护和复古计算项目仍然依赖此类PROM芯片来恢复原始功能或复制固件。

N82S135D 广泛应用于多种需要固化程序或数据的电子系统中。在早期的微型计算机和嵌入式系统中，它常被用作BIOS或固件存储器，存放启动代码、设备驱动程序或基本输入输出系统，确保系统上电后能立即执行预设操作。在工业自动化领域，该芯片用于PLC（可编程逻辑控制器）中的逻辑映射表、状态机转换表或I/O配置信息的存储，提供稳定可靠的运行基础。通信设备中，N82S135D 可用于协议转换表、字符编码映射（如ASCII转EBCDIC）或调制解调器的初始化序列存储，实现高效的数据处理路径。测试与测量仪器利用其高速特性，将其作为波形生成查找表或校准系数存储器，在实时信号处理中发挥关键作用。
　　在数字逻辑设计中，N82S135D 经常被用来实现组合逻辑函数或状态译码器，替代复杂的门电路组合，简化电路设计并提高可靠性。例如，在地址译码、显示驱动（如七段码转换）或键盘扫描矩阵中，通过预先烧录真值表即可实现复杂逻辑功能。此外，该芯片也常见于航空航天和军事电子系统的老旧型号中，用于存储不变的操作参数或飞行控制逻辑，因其经过长期验证且不易受辐射影响（相对于早期CMOS）。如今，虽然已被更先进的非易失性存储器取代，但在设备维修、备件替换、博物馆展品修复及教育演示中，N82S135D 依然具有实际用途。电子爱好者和复古计算社区也常使用该芯片复刻经典游戏机、老式计算器或自制计算机项目，重现历史硬件的行为特征。

DM82S135N
　　MB82S135-5
　　AM82S135DC
　　SIGNETICS 82S135