型号：N82S126N
　　封装类型：24-DIP
　　存储容量：1024位
　　组织结构：64 x 16
　　电源电压：5V ±5%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　编程方式：一次性可编程（OTP）
　　访问时间典型值：35ns
　　输出类型：TTL兼容
　　引脚数：24
　　制造商：Texas Instruments、AMD、National Semiconductor等

N82S126N 具备多项关键特性，使其在早期数字系统设计中成为重要的存储元件。首先，其高速访问能力是核心优势之一，典型读取访问时间为35纳秒，部分版本甚至可达25ns，这使得它能够在高频时钟环境下快速提供指令或数据，满足实时控制系统对响应速度的要求。这种性能来源于其基于双极型晶体管和肖特基钳位技术的内部电路设计，有效减少了饱和延迟，提升了开关速度。
　　其次，该器件采用64 x 16的组织结构，意味着每次读操作可并行输出16位数据，非常适合用于微程序控制器、PLA替代、字符发生器（如VGA文本模式中的ASCII到点阵映射）以及工业逻辑查表应用。相比传统的ROM或低密度EPROM，这种宽度更大的输出减少了外部多片拼接的需求，简化了系统布线和地址解码逻辑。
　　再者，N82S126N支持一次性编程，用户可通过专用编程器将数据写入芯片内部的熔丝结构中。编程过程通过施加高压脉冲烧断指定位置的金属熔丝来实现“0”和“1”的存储。这种机制虽然不具备重复擦写能力，但提供了极高的数据保留可靠性和抗辐射能力，在某些军工或工业环境中反而被视为优点。
　　此外，该芯片具备良好的TTL电平兼容性，可以直接驱动标准TTL负载而无需额外电平转换电路，降低了接口设计复杂度。其输入和输出均符合TTL规范，便于与74系列逻辑器件协同工作。同时，芯片内部集成了地址锁存和解码电路，仅需提供地址信号即可获得稳定输出，使用简便。
　　最后，N82S126N拥有较强的抗干扰能力和温度稳定性，在0°C至+70°C范围内能够保证参数一致性，适合部署于商用及轻工业环境。虽然功耗相对现代CMOS存储器较高（静态功耗约150mW），但在当时的技术条件下属于合理水平。总体而言，这些特性使N82S126N成为上世纪70至90年代广泛应用的通用型PROM解决方案。

N82S126N 的应用场景主要集中在需要固定逻辑映射或高速查找表功能的传统数字系统中。一个典型用途是作为微程序控制器中的控制存储器（Control Store），在CPU或状态机设计中存储微指令序列。每条微指令宽度为16位，足以控制多个寄存器、ALU操作和跳转逻辑，从而实现复杂的时序控制流程。
　　另一个重要应用是在字符发生器（Character Generator）中使用，例如早期的终端显示器或视频接口卡。在这种场合下，N82S126N用于存储字符点阵数据（如5x7或7x9像素矩阵），当主机发送ASCII码时，通过查表方式输出对应字符的逐行扫描数据，驱动CRT或LCD显示模块。由于其16位输出宽度，可一次传输一行点阵信息，显著提高刷新效率。
　　此外，该芯片常用于地址译码与I/O端口映射电路中，特别是在没有专用CPLD或FPGA的老式主板或嵌入式控制器中。通过预编程设定地址-设备对应关系，实现片选信号的逻辑生成，替代大量离散门电路，提升系统集成度和可靠性。
　　在工业自动化领域，N82S126N也被用作状态转换表或故障诊断码映射表，例如将传感器组合状态映射为报警级别或执行动作代码。由于其数据不可篡改，特别适用于安全相关系统中防止配置误改的情况。
　　同时，在测试设备和ATE（自动测试设备）中，该器件可用于存储测试向量或校准系数，供系统启动时加载。由于其快速访问特性，能在上电自检（POST）过程中迅速完成初始化配置。尽管目前已被更先进的非易失性存储器取代，但在维修、逆向工程或复刻经典硬件项目（如复古计算机重建）中，N82S126N仍然具有不可替代的作用。

DM82S126N
　　MB82S126
　　SN74S126N
　　TMM82S126AP