型号：N82C08-10
　　制造商：Intersil
　　类型：DRAM控制器
　　兼容性：Intel 82C08, 8086/8088微处理器
　　工作电压：5V ±10%
　　封装形式：28-pin DIP 或 PLCC
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　最大时钟频率：10MHz
　　输入电平：TTL兼容
　　输出驱动能力：标准CMOS
　　刷新控制模式：自启动可编程刷新
　　地址多路复用支持：支持A0-A15地址分时复用
　　等待状态生成：可编程插入1~3个等待状态
　　RAS/CAS延迟控制：可配置

N82C08-10的核心特性在于其高度集成的DRAM控制逻辑，能够自动处理复杂的动态内存访问时序问题。它内置了完整的地址多路复用机制，能将来自CPU的地址信号分解为行地址和列地址，并分别通过RAS和CAS信号发送到DRAM芯片上，从而实现对存储阵列的精确寻址。此外，该芯片支持可编程的访问时序控制，允许系统设计师根据所使用的DRAM类型（如4164、41256等）调整读写周期中的RAS前置时间、CAS延迟及数据有效窗口，以保证稳定的数据传输。
　　在刷新控制方面，N82C08-10集成了独立的刷新计数器和定时器，能够在后台周期性地执行DRAM刷新操作，防止数据丢失。刷新间隔可根据系统需求进行配置，通常支持每15.6μs一次的标准刷新速率（符合2ms内完成1024行刷新的要求）。更重要的是，刷新过程不会阻塞CPU正常访问内存，因为它采用了“透明刷新”或“隐藏刷新”技术，即利用总线空闲周期或插入专用刷新周期来完成刷新任务，最大程度减少对系统性能的影响。
　　另一个关键特性是其等待状态生成能力。由于早期DRAM响应速度较慢，无法跟上高频CPU的访问节奏，N82C08-10提供了可编程的等待状态插入功能，最多可添加三个等待周期，确保数据在被读取前已完全建立。这一机制显著提升了系统的兼容性和稳定性，尤其在混合使用不同速度等级的存储器时尤为重要。同时，芯片还具备强大的错误检测与保护机制，例如对非法地址访问或总线冲突的识别能力，有助于提高整个系统的鲁棒性。所有这些功能都通过少量外部电阻、电容和跳线即可完成配置，极大地方便了硬件设计和调试过程。

N82C08-10广泛应用于上世纪80年代末至90年代初的个人计算机、工业控制计算机、数控机床、通信设备以及嵌入式控制系统中。它是构建基于Intel 8086、8088、80186等16位微处理器系统的理想选择，尤其适合需要扩展大容量RAM且依赖外部DRAM颗粒的场合。典型应用场景包括早期的PC/AT兼容机主板，其中N82C08-10负责协调CPU与64KB或256KB DRAM模块之间的数据交换，并管理定期刷新任务以维持数据完整性。
　　在工业自动化领域，许多PLC（可编程逻辑控制器）和HMI（人机界面）设备也采用该芯片来构建可靠的本地内存系统，用于缓存程序代码、运行数据或I/O映像区。由于其高可靠性和长期供货记录，N82C08-10成为许多工业设备制造商的首选DRAM控制器方案。此外，在军事和航空电子系统中的一些老旧平台维护中，该芯片仍被用于替换故障部件或进行系统延寿升级。
　　如今，虽然主流计算平台已不再使用此类分离式内存控制器，但在复古计算爱好者社区中，N82C08-10依然受到欢迎，常用于复刻经典PC架构或搭建定制化的8位/16位实验计算机系统。教育机构也将其用于计算机组成原理、微机接口技术等相关课程的教学实验中，帮助学生理解DRAM工作原理、总线时序控制和硬件协同工作机制。因此，尽管属于过时技术，N82C08-10在特定细分领域仍然保有实用价值。

N82C08
　　HD82C08
　　UPD82C08
　　CD82C08