型号：N8273-4
　　制造商：ON Semiconductor
　　类型：高压栅极驱动器
　　通道类型：高端/低端或半桥驱动
　　最大供电电压：25V
　　峰值输出电流：±1.5A（典型值）
　　输入逻辑兼容性：TTL/CMOS
　　传播延迟时间：约200ns（典型值）
　　上升时间（tr）：约15ns
　　下降时间（tf）：约10ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　关断状态电流：低于10μA（典型值）
　　集成自举二极管：有
　　驱动方式：非反相
　　封装形式：SOIC-8 或类似小型化封装

N8273-4的核心特性之一是其高压电平移位技术，使其能够在高端配置中直接驱动连接到母线电压的功率器件。该技术通过内部电平移位电路将来自低压控制侧的逻辑信号准确传递至高压侧的输出级，从而实现对桥式拓扑中上桥臂MOSFET的有效控制。这种设计特别适用于半桥、全桥及同步整流等电路结构。电平移位功能不仅提高了系统的集成度，还减少了对外部隔离元件的需求，简化了系统设计。
　　另一个关键特性是其强大的输出驱动能力。N8273-4提供高达±1.5A的峰值源/汲电流，能够迅速为功率管的栅极电容充电与放电，显著缩短开关过渡时间，降低开关过程中的功耗，进而提高整个电源系统的能效。这对于高频开关应用尤为重要，因为在高频条件下，开关损耗成为影响整体效率的主要因素。快速响应能力也有助于改善系统的动态性能和稳定性。
　　该器件还集成了完善的保护机制。例如，欠压锁定（UVLO）功能可防止在电源电压不足时误触发输出，避免因驱动电压不足导致的MOSFET工作在线性区而引发过热损坏。当检测到芯片温度过高时，内部热关断电路会自动切断输出，保护芯片和外围电路不受损害。此外，部分版本可能包含互锁或死区时间控制逻辑，防止上下桥臂同时导通造成直通短路，进一步增强了系统的可靠性。
　　N8273-4具有良好的噪声抑制能力，得益于其高共模瞬态抗扰度（CMTI），通常可达±50V/ns以上，确保在高压快速切换环境中信号传输的完整性。它还支持宽范围的输入逻辑电平兼容，包括TTL和CMOS标准，便于与各种微控制器、DSP或PWM控制器接口。其小型化的SOIC-8封装不仅节省空间，而且便于自动化生产装配，适合大批量应用。

N8273-4广泛应用于各类需要高效、高可靠性的功率驱动场景。在开关电源领域，特别是用于AC-DC和DC-DC转换器中的半桥或全桥拓扑结构，该芯片可作为主控PWM信号与功率开关之间的接口驱动单元，确保精确且快速的开关动作。由于其支持高端浮动工作模式，因此非常适合用于LLC谐振变换器、有源钳位反激变换器等先进拓扑中。
　　在电机驱动系统中，N8273-4常被用于驱动H桥电路中的上、下桥臂IGBT或MOSFET，适用于小型变频器、伺服驱动器和直流无刷电机控制系统。其快速响应能力和强驱动电流有助于实现电机的精准调速和高效运行。
　　此外，该芯片也适用于逆变器设备，如太阳能逆变器、UPS不间断电源和焊接电源等。在这些应用中，系统通常面临高电压、大电流和高温的工作条件，N8273-4凭借其优异的热稳定性和抗干扰能力，能够在恶劣环境下长期稳定运行。
　　工业自动化设备、电信电源模块以及消费类电子产品中的高密度电源模块也是N8273-4的重要应用领域。其集成度高、外围电路简单的特点，使得工程师可以快速完成设计并缩短产品开发周期。同时，内置保护功能降低了系统故障率，提升了整体安全性与可靠性。

NCP8273ADR2G
　　IRS21844STRPBF
　　UCC27712ADRV