型号：N74F579N
　　类型：8位D型透明锁存器
　　系列：74F
　　电源电压：4.5V ~ 5.5V
　　最大工作频率：约 100MHz
　　传播延迟时间（典型值）：约 8ns
　　输出类型：三态
　　输出电流（每引脚）：±25mA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：20-Pin DIP 或 SO
　　逻辑电平：TTL 兼容
　　输入噪声抑制：内置
　　功耗（静态）：极低（CMOS 工艺）

N74F579N 的核心特性之一是其高速传输性能，得益于其基于硅门 CMOS 技术的先进制造工艺，该器件能够在保持低静态功耗的同时实现接近 TTL 系列的速度表现。其典型的传播延迟时间为 8ns，使得它非常适合用于对时序要求严格的高速数字系统中，例如微处理器外围接口、存储器地址锁存和数据缓冲等应用场景。这种高速响应能力确保了数据能够快速而准确地被锁存并传递到后续电路，提升了整个系统的吞吐量和响应效率。
　　另一个关键特性是其三态输出结构，这使得 N74F579N 能够无缝集成到共享总线架构中。通过控制输出使能（OE）引脚，用户可以将所有八个输出设置为高阻抗状态，从而允许其他设备在总线上进行数据传输而不会发生电气冲突。这一功能在多主控系统或多设备共用数据通道的设计中尤为重要，极大增强了系统的灵活性和可扩展性。
　　该器件还具备良好的输入噪声抑制能力，能够在电磁干扰较强的环境中保持稳定的工作状态。其输入端口设计有施密特触发器特性或滤波机制（视具体版本而定），有助于消除由于信号抖动或噪声引起的误触发问题，提高系统的可靠性。此外，N74F579N 支持宽范围的电源电压（4.5V 至 5.5V），适应性强，兼容标准 5V 数字系统供电环境。
　　从功耗角度看，由于采用 CMOS 工艺，N74F579N 在静态条件下几乎不消耗电流，仅在状态切换时产生动态功耗，因此特别适用于对能效有一定要求的应用场景。同时，其输出驱动能力较强，每个引脚可提供高达 ±25mA 的驱动电流，足以直接驱动多个 TTL 输入或其他中等负载设备，减少了对外部缓冲器的需求，简化了电路设计。

N74F579N 主要应用于各类需要高速数据锁存和总线隔离功能的数字电子系统中。在微处理器和微控制器系统中，它常被用作地址锁存器，用于在地址/数据复用总线上分离地址信息，确保正确的内存或外设寻址操作。例如，在 8051 或早期 x86 架构系统中，这类锁存器广泛用于锁存低字节地址信号，配合外部存储器或 I/O 扩展芯片使用。
　　此外，该器件也常见于数据采集系统中，作为输入数据的暂存单元，以同步来自传感器或多路开关的并行数据流。其透明锁存模式允许实时传递数据，而在锁存使能信号关闭后则保持数据不变，便于后续处理单元按需读取，提升系统的稳定性与可控性。
　　在通信接口电路中，N74F579N 可作为并行到串行转换路径中的缓冲级，或用于电平转换模块中，实现不同子系统之间的信号隔离与匹配。其三态输出特性使其非常适合构建可配置的 I/O 扩展模块，允许多个外设共享同一组数据线，通过片选和使能信号进行分时访问。
　　工业控制领域中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块设计，用于暂存开关量信号或驱动继电器阵列。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）保证了在恶劣工业环境下的可靠运行。此外，在测试测量仪器、打印机控制板、LED 显示驱动电路以及老式计算机主板中也能见到该器件的身影。随着现代系统向更高集成度发展，虽然部分功能已被专用 ASIC 或 FPGA 替代，但在维修、升级或教育实验场合，N74F579N 仍具有一定的实用价值。

74F579N
　　SN74F579N
　　HD74F579N
　　MB74F579N