型号: N74F259N
　　制造商: NXP Semiconductors
　　系列: 74F
　　逻辑功能: 8位可寻址锁存器
　　封装类型: DIP-24
　　电源电压: 4.75V ~ 5.25V
　　工作温度范围: 0°C ~ +70°C
　　输出类型: 三态推挽输出
　　数据输入/输出位数: 8位（Q0-Q7）
　　地址输入: 3位（A0, A1, A2）
　　控制信号: 地址使能（AE）、数据输入（DIN）、输出使能（OE）、锁存使能（LE）
　　传播延迟（典型值）: 5ns（@ VCC=5V, TA=25°C）
　　直流输出电流: 每输出引脚最大±8mA
　　静态功耗（典型）: 35mW
　　逻辑电平兼容性: TTL
　　引脚数量: 24
　　安装方式: 通孔（Through-Hole）

N74F259N的核心特性之一是其可寻址锁存机制，允许用户通过3位地址总线（A0-A2）精确选择8个内部D型锁存器中的任意一个进行写入操作。这种结构极大地简化了微处理器或微控制器对多个离散控制信号的管理。例如，在一个系统中有多个继电器或LED指示灯需要独立控制时，无需使用多个I/O口直接驱动，而是可以通过地址和数据线共享的方式，利用N74F259N实现按位写入。当地址使能（AE）有效且锁存使能（LE）为高时，地址被解码以选择对应的数据通道；随后在LE下降沿到来时，当前数据输入端（DIN）的逻辑电平将被锁存到所选的Qx输出位中，其余未选中的输出保持原有状态不变。这一“位写”功能显著减少了CPU干预的频率和I/O资源的占用。
　　另一个关键特性是其三态输出能力，通过输出使能（OE）引脚控制所有输出是否处于高阻态，便于在共享总线上与其他器件协同工作。这使得N74F259N不仅可以作为输出锁存器，还可以在某些应用中用于构建简单的只读状态寄存器。此外，该器件具有较高的开关速度，得益于74F系列优化的内部电路设计，其典型传播延迟仅为5ns左右，远快于标准74LS系列器件，适用于对响应时间要求较高的实时控制系统。
　　N74F259N还具备较强的驱动能力，每个输出可提供高达8mA的灌电流，足以直接驱动小型负载如LED或光耦，减少外部驱动元件的需求。其TTL电平兼容性确保了与大多数5V数字系统的无缝接口。虽然其静态功耗约为35mW，高于现代CMOS器件，但在需要高速度和强驱动的应用中仍具优势。另外，该芯片在抗噪性能方面表现良好，适合工业环境下的稳定运行。

N74F259N常用于需要对多个数字信号进行独立控制和状态保持的场合。一个典型应用是在微控制器系统中扩展并行输出端口，尤其是在I/O引脚资源有限的情况下。通过串行或并行总线连接地址和数据线，主控单元可以仅用少数几个引脚控制多达8个独立的输出状态，广泛应用于工业自动化控制系统中的继电器驱动、报警指示灯控制、阀门开关状态记录等场景。
　　在通信设备中，N74F259N可用于配置多路选择开关的状态寄存器，实现信道选择或模式设置。例如，在射频切换网络或多路复用器中，不同通道的启用状态可通过地址写入方式保存在该锁存器中，供后续查询或执行。
　　此外，该器件也常见于测试与测量仪器中，作为测试点状态标记或校准参数的临时存储单元。由于其非易失性虽不自带，但可在上电初始化后由主程序重新配置，因此适合构建可编程的硬件配置模块。
　　在老式计算机外围设备或嵌入式控制器中，N74F259N曾被用作中断屏蔽寄存器、DMA通道控制寄存器或设备状态反馈寄存器。其地址可选特性使得多个此类芯片可以共用同一组地址/数据总线，通过片选信号区分，从而构建更大规模的控制寄存器阵列。
　　教育领域中，N74F259N也被用于数字逻辑课程实验，帮助学生理解地址译码、锁存器行为、三态总线操作等核心概念。其直观的功能结构使其成为教学演示的理想器件。

74F259N
　　SN74F259N
　　MB74F259N