时间：2025/8/30 3:07:43
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N3429-5202RB 是一种表面贴装（SMD）功率晶体管，通常用于高功率应用中，如开关电源、电机控制和负载管理。该器件采用先进的制造工艺，具有高可靠性和稳定性，适用于工业和汽车电子领域。
晶体管类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：90A
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约5.2mΩ（典型值）
封装类型：PowerPAK SO-8
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
N3429-5202RB 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)），这使得它在高电流应用中能够提供更低的功率损耗和更高的效率。该器件采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，提高了开关性能和热稳定性。
其PowerPAK SO-8封装形式提供了良好的散热性能，适用于紧凑型高功率设计。该晶体管具有较高的电流承受能力，在持续工作条件下仍能保持稳定性能。
此外，N3429-5202RB 具有较强的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态电压冲击，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。其栅极驱动特性也优化了开关速度，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器应用。
该器件的引脚设计符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。
N3429-5202RB 常用于高性能电源管理领域，如同步整流、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关和电机驱动电路。此外，它也适用于服务器电源、通信设备、汽车电子系统（如电动助力转向、车载充电器）以及工业自动化控制系统。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410AS, NVTFS5C429NLWFTAG
