N32903U1DN 时间：2025/4/30 9:02:33 阅读：17

N32903U1DN是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。它属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和高切换速度的特点，适用于各种高效能电源管理场景。
　　该器件采用了先进的制造工艺，确保其在高频和大电流条件下具备出色的性能表现。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：90A
　　导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：170W
　　结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-247

特性

N32903U1DN的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
　　3. 快速开关速度，支持高频工作环境。
　　4. 热稳定性强，适合高温工作条件。
　　5. 符合RoHS标准，环保且安全。
　　6. 封装坚固耐用，便于散热设计。

应用

这款MOSFET广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关和同步整流器。
　　2. 电动车辆及工业电机驱动中的功率控制。
　　3. 太阳能逆变器与储能系统的功率转换模块。
　　4. DC/DC转换器以及负载点(POL)调节。
　　5. 各类电池保护电路及充放电管理系统。
　　6. LED照明驱动电路中的功率开关元件。