N2DS25H16BS-5T 是一款由Nanya(南亚科技)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于异步DRAM类别,具有16Mbit的存储容量,电压工作范围为2.3V至3.6V,适用于多种便携式和低功耗应用。N2DS25H16BS-5T采用CMOS工艺制造,具有较高的可靠性和稳定性。该芯片封装为TSOP(薄型小外形封装),适合空间受限的设计。其主要特点包括低功耗、宽电压范围和高数据保持能力。
类型: DRAM
容量: 16Mbit
组织结构: x16
电压范围: 2.3V - 3.6V
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
封装类型: TSOP
引脚数: 54
访问时间: 55ns
最大时钟频率: 166MHz
数据保持电流: 10mA(典型值)
待机电流: 10μA(典型值)
N2DS25H16BS-5T DRAM芯片具有多种特性,使其适用于广泛的电子设备应用。其低功耗设计非常适合电池供电设备,如便携式医疗设备、手持终端和无线通信设备。芯片的宽电压范围(2.3V至3.6V)使其在不同电源条件下都能稳定运行,提高了系统的兼容性和灵活性。此外,该芯片支持自动数据刷新功能,确保了数据在断电前的可靠性,即使在极端温度条件下也能保持良好的性能。N2DS25H16BS-5T的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境。TSOP封装形式不仅减小了PCB占用空间,还提高了抗干扰能力,从而增强了整体系统稳定性。该芯片的高速访问时间(55ns)和最大时钟频率(166MHz)使其能够满足对性能有较高要求的应用场景。
N2DS25H16BS-5T广泛应用于各种电子设备中,包括工业控制系统、医疗监测设备、通信模块、手持式测量仪器和消费类电子产品。在工业自动化设备中,该芯片可用于缓存数据存储和实时处理任务;在便携式设备中,其低功耗和宽电压特性使其成为理想选择。此外,该芯片也可用于网络设备、视频采集系统和嵌入式控制系统中,提供稳定的数据存储支持。
IS61LV16256AL-55BLLI-S,CY62167EVLL-55BHE3,IDT71V1216SA55B