类型: DRAM
　　容量: 16Mbit
　　组织结构: x16
　　电压范围: 2.3V - 3.6V
　　工作温度范围: -40°C 至 +85°C
　　封装类型: TSOP
　　引脚数: 54
　　访问时间: 55ns
　　最大时钟频率: 166MHz
　　数据保持电流: 10mA（典型值）
　　待机电流: 10μA（典型值）

N2DS25H16BS-5T DRAM芯片具有多种特性，使其适用于广泛的电子设备应用。其低功耗设计非常适合电池供电设备，如便携式医疗设备、手持终端和无线通信设备。芯片的宽电压范围（2.3V至3.6V）使其在不同电源条件下都能稳定运行，提高了系统的兼容性和灵活性。此外，该芯片支持自动数据刷新功能，确保了数据在断电前的可靠性，即使在极端温度条件下也能保持良好的性能。N2DS25H16BS-5T的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境。TSOP封装形式不仅减小了PCB占用空间，还提高了抗干扰能力，从而增强了整体系统稳定性。该芯片的高速访问时间（55ns）和最大时钟频率（166MHz）使其能够满足对性能有较高要求的应用场景。

N2DS25H16BS-5T广泛应用于各种电子设备中，包括工业控制系统、医疗监测设备、通信模块、手持式测量仪器和消费类电子产品。在工业自动化设备中，该芯片可用于缓存数据存储和实时处理任务；在便携式设备中，其低功耗和宽电压特性使其成为理想选择。此外，该芯片也可用于网络设备、视频采集系统和嵌入式控制系统中，提供稳定的数据存储支持。

IS61LV16256AL-55BLLI-S，CY62167EVLL-55BHE3，IDT71V1216SA55B