时间:2025/10/29 16:52:12
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N28F256A-150是一款由Intel推出的高性能、低功耗的256K x 8位(即2兆位)并行接口闪存芯片,属于早期商用的电可擦除可编程只读存储器(Flash EEPROM)产品系列。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具备高可靠性与耐久性,适用于需要非易失性程序或数据存储的嵌入式系统和工业控制应用。N28F256A-150支持标准的5V单电源供电,能够在宽温度范围内稳定工作,典型应用于通信设备、工控模块、网络设备以及老式计算机系统中作为固件存储介质。其150纳秒的访问时间使其在当时的微处理器系统中具备良好的性能匹配能力,能够直接连接到多种主流CPU总线架构,如x86、68k等,无需等待状态即可实现高速数据读取。该芯片封装形式通常为40引脚DIP(双列直插式)或TSOP,便于在多种PCB设计中使用。尽管该型号已逐步被更先进的闪存技术所取代,但在一些维护现有设备或兼容老旧系统的场景中仍具有一定的使用价值。
制造商:Intel
类型:并行NOR Flash
容量:2 Mbit(256 K x 8)
电源电压:4.5V 至 5.5V
访问时间:150 ns
工作温度范围:0°C 至 +70°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
封装形式:40-pin DIP, 40-pin TSOP
接口类型:并行(地址/数据总线分离)
写入电压:内部电荷泵生成所需高压
编程方式:字节编程与块擦除
擦除周期:典型10,000次
数据保持时间:典型10年
输入/输出电平:TTL 兼容
待机电流:典型100 μA
工作电流:典型30 mA
N28F256A-150具备多项关键特性,确保其在复杂嵌入式环境中的可靠运行。首先,该芯片内置电荷泵电路,能够在标准5V电源下完成编程和擦除操作,无需外部提供额外的高压编程电压,极大简化了系统电源设计,提升了集成便利性。其次,它支持扇区擦除(Sector Erase)和整片擦除(Chip Erase)功能,允许用户灵活管理存储区域,尤其适合需要频繁更新部分固件的应用场景。每个扇区通常为64KB大小,使得擦除操作更加精准且高效。
此外,N28F256A-150具备硬件写保护机制,通过特定引脚(如RESET和WP)控制,防止意外写入或擦除,增强数据安全性。其TTL电平兼容的输入输出接口可以直接与大多数微控制器和微处理器连接,减少电平转换电路的需求,降低整体系统成本。该器件还集成了内部状态机,用于监控编程和擦除操作的完成情况,用户可通过查询状态寄存器判断操作是否成功,从而提高软件控制的可靠性。
在可靠性方面,N28F256A-150经过严格测试,保证在工业级环境条件下长期稳定工作。其数据保持能力长达10年以上,在正常存储条件下能有效防止信息丢失。同时,器件支持至少10,000次的擦写寿命,满足多数中等频率更新需求的应用。尽管现代闪存已普遍转向SPI/NOR架构,但N28F256A-150的并行接口提供了较高的突发数据吞吐能力,适合对读取速度有要求的实时系统。此外,Intel为其提供了完整的技术支持文档和编程算法说明,便于开发者进行底层驱动开发和故障诊断。
N28F256A-150广泛应用于上世纪90年代至2000年代初期的各类电子系统中。其主要用途包括作为嵌入式系统的固件存储器,例如在工业自动化控制器、PLC模块、数控机床中存放启动代码和配置参数。由于其快速读取能力和直接总线接口特性,常被用于需要快速加载程序代码的微处理器系统,如基于Intel 80386、80486或Motorola 68000系列的工控主板和通信基站主控板。
在网络设备领域,该芯片曾用于路由器、交换机和DSL调制解调器中存储BIOS或引导程序,确保设备在断电后仍能保留核心启动逻辑。此外,在医疗仪器、测试测量设备和航空航天电子系统中,N28F256A-150因其高可靠性和长期供货记录而被选作关键数据存储单元。某些军事和航空电子平台也采用该器件进行韧性强、抗干扰能力高的非易失性存储设计。
在消费类电子产品中,部分老式打印机、传真机和POS终端也曾使用该型号进行菜单界面和字体数据的存储。虽然当前主流设计已转向更高密度、更低功耗的串行闪存或EEPROM,但在设备维修、备件替换和 legacy system 升级场景中,N28F256A-150仍然具有实际应用价值。对于需要保持系统向后兼容性的项目,该芯片仍是可行的选择之一。
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