型号：N28F010-150
　　制造商：Intel
　　存储容量：1 Mbit (128K × 8)
　　存储器类型：EEPROM
　　接口类型：并行
　　供电电压：5V ± 10%
　　访问时间：150 ns
　　工作电流：典型值 35 mA（读取模式）
　　待机电流：≤ 100 μA
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需额外高压
　　写入周期寿命：≥ 100,000 次
　　数据保持时间：≥ 10 年
　　封装形式：40-pin DIP 或 40-pin PLCC
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　引脚配置：OE#（输出使能）、WE#（写使能）、CE#（片选）、A0–A16（地址线）、DQ0–DQ7（数据线）

N28F010150的核心特性之一是其内置电荷泵电路，这使得该芯片能够在标准+5V电源下完成编程和擦除操作，而无需外部提供高编程电压（如传统的12V Vpp）。这一设计显著简化了系统电源架构，提高了设计的灵活性与可靠性。芯片支持字节级别的编程（Byte Programming），允许用户对单个存储单元进行修改，而不会影响其他未被寻址的数据位置。此外，它还具备块擦除功能，可以按扇区或全片方式进行快速擦除操作，提升了批量更新效率。
　　该器件具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够在工业环境温度范围内可靠运行。其并行接口兼容通用微处理器时序，支持与80C51、68000等主流控制器直接连接，减少了接口逻辑的需求。为了提升系统安全性，N28F010150还集成了写保护机制，通过控制WE#和CE#信号的有效时序来防止误写入或意外擦除。另外，芯片内部设有状态锁存器，可用于检测编程/擦除操作是否成功完成，从而实现软件轮询或中断反馈机制。
　　尽管N28F010150不具备现代闪存所拥有的高速读写或低功耗休眠模式等先进功能，但其结构简单、驱动容易、资料丰富，使其在教学实验、设备维修及逆向工程领域仍然具有一定参考价值。由于停产多年，现多依赖库存件或二手市场供应，建议在新设计中考虑替代方案。

N28F010150广泛应用于20世纪90年代至21世纪初的各类电子系统中，主要用于存储固件、引导代码、配置参数和校准数据等关键信息。常见应用场景包括工业自动化控制器中的PLC程序存储、通信基站设备的初始化设置保存、医疗仪器的用户偏好设定记忆、测试测量仪器的自检程序存放等。由于其非易失性和可重复编程能力，也被用于需要现场升级但不频繁更改的嵌入式系统中。
　　在计算机硬件领域，该芯片曾用于老式主板BIOS、图形显卡的VGA BIOS以及各种扩展卡（如网卡、SCSI控制器）的启动代码存储。此外，在消费类电子产品如打印机、复印机、POS终端中，也常作为存储设备操作指令和本地化语言资源的介质。由于其并行接口特性，适合与当时主流的8位和16位微控制器配合使用，尤其适用于数据吞吐量要求不高但强调稳定性和长期数据保留的场合。
　　随着串行闪存（如SPI NOR Flash）的普及，因其引脚少、成本低、功耗优等优势，N28F010150已逐渐退出主流设计。然而，在设备维护、备件替换和旧系统恢复项目中，该芯片仍有实际需求。对于从事逆向工程或历史设备修复的技术人员而言，了解其电气特性和时序规范仍具重要意义。

M28F010-150
　　AM28F010-150
　　SST39SF010A-15-4C-PHE