时间：2025/10/29 23:24:47
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N28F001BXT120是一款由Intel公司推出的高性能、低功耗的并行接口闪存（Flash Memory）芯片，属于其早期的商用级单电源电压闪存产品系列。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具备1兆位（128KB × 8位）的存储容量，适用于需要非易失性程序或数据存储的嵌入式系统和工业控制应用。N28F001BXT120支持标准的5V单电源供电，在读取模式下具有较低的功耗特性，并通过内部电荷泵实现编程和擦除操作所需的高压，无需外部提供额外的编程电压。该芯片兼容JEDEC标准的8位微处理器总线接口，支持快速随机读取访问时间（典型值为120纳秒），能够满足中等性能要求的实时控制系统需求。其封装形式为44引脚PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier），便于在传统PCB设计中进行表面贴装或插座安装，广泛应用于老式工业控制器、通信设备、打印机、POS终端以及一些军用或工业级设备的固件存储模块中。由于该芯片已逐步停产，现多用于维修替换或旧系统维护场景。
型号：N28F001BXT120
制造商：Intel
存储容量：1 Mbit (128 KB × 8)
电源电压：5V ± 10%
访问时间：120 ns
工作温度范围：0°C 至 +70°C
封装类型：44-pin PLCC
接口类型：并行（8位总线）
编程电压：内部电荷泵生成
擦除方式：扇区擦除/整片擦除
写保护功能：硬件WP#引脚支持
封装形式：PLCC-44
总线宽度：8位
待机电流：≤ 100 μA
读取电流：≤ 35 mA
N28F001BXT120具备多项关键特性，使其在当时的嵌入式系统设计中具有较高的实用价值。首先，该芯片采用了单5V电源供电架构，极大简化了系统电源设计，避免了传统EEPROM或早期EPROM所需的双电压或多电压供电方案。其内部集成电荷泵电路可在编程和擦除操作期间自动生成所需的高压（通常为12V左右），从而仅需单一外部电源即可完成所有操作，提升了系统的可靠性与设计便利性。
其次，该器件支持字节级写入与扇区擦除功能，允许用户对特定存储区域进行更新而不影响其他数据内容。它将整个128KB存储空间划分为多个可独立擦除的扇区（通常包括若干个4KB小扇区和一个32KB主扇区），便于实现灵活的固件管理策略，例如保留关键配置数据的同时更新程序代码。此外，芯片内置的状态寄存器可用于轮询判断编程或擦除操作是否完成，提高软件控制效率。
再者，N28F001BXT120具备较强的环境适应能力，工作温度范围覆盖商业级标准（0°C至+70°C），适合大多数室内工业应用场景。其PLCC-44封装支持热插拔和可重焊性，方便在生产调试或现场维护时更换芯片。为了防止误操作导致的数据损坏，该芯片还配备了硬件写保护引脚（WP#），当该引脚被拉低时，禁止所有编程和擦除操作，增强了数据安全性。
最后，该器件兼容通用微处理器总线时序，无需复杂的接口逻辑即可直接连接到8051、68K、x86等常见架构的MCU或MPU系统总线上，降低了系统集成难度。尽管现代新型闪存已在速度、密度和功耗方面大幅超越此类早期产品，但N28F001BXT120在其时代代表了从紫外线擦除EPROM向电可擦除Flash过渡的重要技术节点。
N28F001BXT120主要应用于20世纪90年代至21世纪初的多种嵌入式系统和工业电子设备中。其典型用途包括作为微控制器系统的外部程序存储器，用于存放启动代码（Bootloader）、固件程序或操作系统镜像。在当时的工业自动化领域，该芯片常被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块中，用于长期保存控制逻辑和配置参数。
在通信设备方面，N28F001BXT120曾广泛用于调制解调器、路由器、交换机等网络基础设施设备中，存储设备初始化代码和运行配置信息。由于其具备良好的数据保持能力和擦写耐久性（通常标称可支持1万次擦写周期），适合频繁升级固件的应用场景。
此外，该芯片也常见于办公自动化设备，如激光打印机、复印机和传真机，用于存储打印引擎控制程序和字体库数据。在POS终端、银行ATM机和条码扫描器等金融与零售设备中，它承担着安全固件存储的任务，确保交易流程的稳定性和一致性。
由于其PLCC封装易于更换，部分军用或航空航天领域的老旧设备也采用该型号进行固件存储，尤其是在需要现场可更换单元（LRU）设计的系统中。虽然目前已被更先进的串行闪存和SPI NOR Flash所取代，但在设备维修、备件替换和 legacy system 支持中仍具有一定使用价值。
AM29F001B-120JC
MX29F001BCT-120
SST39SF010A-120-4C-PHE
