时间：2025/10/29 20:59:17
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N28F001BX-T120是一款由ON Semiconductor生产的高性能、低功耗的1兆位（128K x 8）并行接口CMOS EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）芯片。该器件属于N28F系列，专为需要非易失性数据存储的工业、通信和消费类应用设计。N28F001BX-T120采用先进的浮栅技术制造，支持在系统内通过电气方式进行字节级或块级的编程与擦除操作，极大提升了现场升级和配置管理的灵活性。该芯片工作电压范围为4.5V至5.5V，符合标准TTL电平接口要求，能够与大多数微处理器和微控制器无缝连接。封装形式为44引脚PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier），适用于对空间有一定要求但又需要可靠引脚连接的应用场景。该器件具备高可靠性，典型数据保持时间超过100年，并支持至少10万次的编程/擦除周期，适合长期运行且频繁更新数据的系统使用。此外，N28F001BX-T120内置了写保护机制和软件数据保护功能，有效防止因误操作或电源波动导致的数据损坏。其访问时间典型值为120ns，满足中高速系统总线时序需求，适用于嵌入式控制、固件存储、配置参数保存等关键应用场景。
容量：1 Mbit (128K × 8)
电压范围：4.5V 至 5.5V
访问时间：120ns
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：44-pin PLCC
接口类型：并行
编程电压：5V
写周期时间：自动定时
耐久性：100,000 次编程/擦除周期
数据保持：>100 年
输入/输出电平：TTL 兼容
组织结构：128K × 8 位
N28F001BX-T120具备多项先进的功能特性，确保其在复杂环境下的稳定性和数据完整性。首先，该器件支持在线编程（In-System Programming, ISP），允许用户在不将芯片从电路板上移除的情况下完成程序更新或参数修改，这对于远程维护和现场升级尤为重要。其次，芯片集成了软件写保护机制，通过特定的命令序列启用或禁用写操作，防止意外擦除或覆盖关键数据。这一机制显著提升了系统的安全性，尤其适用于工业控制系统或网络设备中的固件保护。
该器件还支持块擦除功能，用户可以选择擦除整个芯片（批量擦除）或按扇区（Sector Erase）方式进行部分擦除，每个扇区大小为4KB，提供了灵活的数据管理能力。此外，N28F001BX-T120具有硬件写保护引脚（WP），可通过外部电平控制实现物理级别的写保护，增强系统抗干扰能力。在电源管理方面，芯片支持低功耗待机模式，当处于未选通状态时自动进入待机模式，显著降低系统整体功耗，适用于电池供电或节能型设备。
为了提升系统可靠性，该器件内置了上电复位（Power-On Reset）电路和噪声抑制滤波器，确保在电源不稳定或存在电磁干扰的环境下仍能正常工作。同时，其CMOS工艺设计不仅降低了动态功耗，还提高了抗噪性能。所有引脚均具备静电放电（ESD）保护，典型防护能力可达±4000V HBM，增强了器件在生产和使用过程中的鲁棒性。最后，该芯片经过严格的工业级测试，保证在-40°C至+85°C宽温范围内稳定运行，适用于恶劣工业环境下的长期部署。
N28F001BX-T120广泛应用于需要可靠非易失性存储的各种电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和传感器模块中存储配置参数、校准数据和运行日志。在通信设备中，如路由器、交换机和基站控制器，该芯片可用于保存启动代码（Boot Code）、设备MAC地址和网络配置信息，确保设备每次上电后能快速恢复运行状态。消费类电子产品中，例如打印机、复印机和智能家电，也利用该器件存储用户设置、固件版本和故障记录。
此外，在嵌入式控制系统和单片机应用中，N28F001BX-T120作为外部程序存储器使用，补充主控芯片内部Flash容量不足的问题，尤其适用于需要频繁更新程序代码的场合。医疗设备中，该芯片可用于存储设备校准数据和患者使用记录，满足长时间数据保存的需求。汽车电子系统中，尽管该型号非AEC-Q100认证，但在车载信息终端、仪表盘模块等非安全关键系统中仍有应用。由于其具备TTL电平兼容性和120ns访问速度，非常适合与8位或16位微处理器构建简单的最小系统。总之，凡是需要1MB以下非易失性存储、具备一定写入频率且要求高可靠性的场景，N28F001BX-T120都是一个成熟可靠的解决方案。
N28F001BX-T150
N28F001BX-T90
AM28F001BB
M28F001BX
SST39SF010A
