N28F001BX-T 时间：2025/12/26 16:39:15 阅读：15

N28F001BX-T是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高性能、低功耗的并行接口闪存芯片，属于单电压供电的快速页面模式EEPROM替代型闪存产品系列。该器件采用先进的浮栅技术制造，具备高可靠性与耐久性，适用于需要非易失性数据存储的工业控制、通信设备、嵌入式系统和消费类电子产品等应用场景。N28F001BX-T具有1兆位（128K × 8位）的存储容量，支持标准的5V电源供电，并兼容TTL电平接口，便于与多种微控制器和处理器直接连接而无需额外的电平转换电路。该芯片支持字节擦除、块擦除以及整片擦除功能，同时具备软件数据保护机制，防止因误操作导致的数据丢失或损坏。其封装形式为44引脚PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier），适合在空间受限但要求高可靠性的PCB设计中使用。此外，该器件工作温度范围宽，通常支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下仍能稳定运行。N28F001BX-T广泛用于固件存储、配置参数保存、启动代码存储等关键任务场景，是传统EPROM和早期EEPROM的理想升级替代方案。

参数

型号：N28F001BX-T
　　制造商：ON Semiconductor
　　存储类型：Flash
　　存储容量：1 Mbit (128K × 8)
　　电源电压：5V ± 10%
　　接口类型：并行
　　访问时间：120 ns / 150 ns（根据不同版本）
　　封装类型：44-Lead PLCC
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写入/擦除周期：典型100,000次
　　数据保持时间：100年典型值
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　组织结构：128K × 8位字节结构
　　擦除方式：扇区擦除、批量擦除、整片擦除
　　编程模式：字节编程、缓冲编程
　　状态寄存器：支持就绪/忙检测
　　软件保护功能：支持数据锁定与解锁命令序列
　　待机电流：典型值20 μA
　　运行电流：典型值30 mA

特性

N28F001BX-T具备多项先进特性，使其成为工业与嵌入式应用中理想的非易失性存储解决方案。
　　首先，该芯片采用单一5V供电设计，无需外部高压编程电源，简化了系统电源架构。其内置电荷泵可在内部生成所需的编程电压，从而实现全功能的字节级和块级编程与擦除操作，极大提升了使用的灵活性与便捷性。这种设计不仅降低了整体系统成本，还提高了系统的可靠性。
　　其次，N28F001BX-T支持快速页面访问模式，读取访问时间低至120纳秒，能够满足高速微处理器系统的时序需求，确保系统启动迅速且运行流畅。其并行接口兼容工业标准总线协议，可无缝连接到8位或16位数据总线系统中，适用于多种老旧平台升级项目。
　　再者，该器件提供全面的软件控制保护机制。通过特定的命令序列（如六字节解锁序列）来启动擦除和编程操作，有效防止意外写入或误擦除。用户可对部分或全部存储区域进行锁定，保障关键固件的安全性。此外，芯片集成了状态轮询机制，允许系统实时监测编程/擦除操作是否完成，提升多任务环境下的响应效率。
　　在可靠性方面，N28F001BX-T保证至少10万个写入/擦除周期，数据保留时间长达100年，在极端温度条件下依然保持稳定性能。其采用的CMOS工艺和低功耗设计使得待机电流极低（典型20μA），非常适合电池供电或节能型系统。
　　最后，该器件符合环保要求，采用无铅（RoHS合规）封装工艺，适应现代绿色电子制造趋势。综合来看，N28F001BX-T是一款兼具高性能、高可靠性和易用性的闪存芯片，特别适合用于网络设备、工控模块、医疗仪器、POS终端等对数据持久性和稳定性有严格要求的应用领域。

应用

N28F001BX-T因其高可靠性与工业级性能，被广泛应用于多个领域。在工业自动化控制系统中，常用于存储PLC的启动代码、设备配置参数及校准数据，确保断电后信息不丢失，并能在重启后快速恢复运行。在通信基础设施设备中，如路由器、交换机和基站模块，该芯片用于存放引导程序（Bootloader）和固件映像，支持远程升级与故障恢复功能。在消费类电子产品中，例如智能仪表、家用电器控制板和多媒体播放器，它可用于保存用户设置、运行日志和系统版本信息。此外，在医疗电子设备中，由于其长期数据保持能力和宽温工作特性，适合用于记录设备运行状态和患者相关配置数据。航空航天与军事电子系统中也采用此类器件进行关键指令存储，前提是经过筛选和加固处理以满足更高可靠性标准。POS终端和自动售货机利用其快速读取能力实现快速启动和交易初始化。测试测量仪器则使用该芯片存储校准系数和操作程序。总之，凡需长期、稳定、可重复写入的非易失性存储场合，N28F001BX-T均是一个成熟可靠的选项。