N25S80-75HE 时间：2025/12/29 13:34:59 阅读：80

N25S80-75HE是一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由Nexperia（原恩智浦半导体存储器业务）生产。该芯片具有快速的访问时间和低功耗特性，适用于需要高速数据存储和处理的应用场合。N25S80-75HE封装形式为常见的TSOP，便于在各种电子设备中使用。

参数

容量：8K x 8位
　　电源电压：2.3V至3.6V
　　访问时间：7.5ns
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：28
　　最大工作频率：125MHz
　　输入/输出电平：CMOS兼容

特性

N25S80-75HE SRAM芯片具有多项优良特性，适用于高性能电子系统。其高速访问时间为7.5ns，支持高达125MHz的工作频率，能够满足高速数据处理的需求。芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V，具有较宽的电压适应能力，能够在不同供电条件下稳定工作。此外，该芯片的输入和输出信号兼容CMOS电平，方便与多种数字电路接口。
　　N25S80-75HE的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，适用于严苛环境下的应用。芯片采用TSOP 28引脚封装，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用。低功耗设计使其在保持高性能的同时，也能满足节能要求，适用于便携式设备和低功耗系统。

应用

N25S80-75HE SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储的场景，如网络设备、工业控制、通信系统、消费电子和嵌入式系统。其高速性能和宽电压范围使其成为路由器、交换机、数据采集系统和实时控制系统中的理想选择。此外，该芯片也适用于图像处理设备、测试仪器和医疗电子设备等对数据存取速度有较高要求的应用。