容量：128 Mbit (16 MB)
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.3V至3.6V
　　最大时钟频率：80 MHz
　　封装类型：8-SOIC
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　存储器类型：非易失性闪存
　　读取模式：单线、双线、四线SPI模式
　　擦除模式：扇区擦除、块擦除、全片擦除
　　写入保护：硬件写保护和软件写保护
　　功耗（典型值）：工作电流约10mA，待机电流小于5μA

N25Q128A11EF840G 具有多种特性，使其适用于广泛的嵌入式应用场景。首先，该芯片支持高速SPI接口，最大时钟频率可达80 MHz，允许快速读取和写入数据，适用于需要快速启动或频繁访问的应用。其次，该芯片支持多种读写模式，包括单线、双线和四线SPI模式，提供了灵活的配置选项，能够适应不同的系统设计需求。
　　此外，N25Q128A11EF840G 提供了多级写保护机制，包括硬件写保护引脚（WP）和软件写保护寄存器，确保关键数据不会被意外修改或擦除，提高了系统的稳定性和数据安全性。它还支持多种擦除方式，包括扇区擦除（4KB）、块擦除（64KB或32KB）和全片擦除，使得用户可以根据应用需求灵活管理存储空间。
　　该芯片采用了低功耗设计，在待机模式下的电流消耗小于5μA，适合电池供电设备使用。同时，其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于高温或低温环境下的稳定运行。封装形式为8引脚SOIC，体积小巧，便于在空间受限的电路板上安装。

N25Q128A11EF840G 广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统中，例如微控制器（MCU）的外部代码存储、FPGA配置存储、传感器数据记录、固件升级、工业控制设备、智能电表、医疗设备、消费类电子产品（如智能手表、智能音箱）等。由于其高速SPI接口和低功耗特性，也常用于物联网（IoT）设备中进行固件存储和远程更新。

N25Q128A13EF840E, N25Q128A11ESF40E, N25Q00AA11EF840G, SST25VF016B, W25Q128JV