品牌：Micron Technology
　　类型：Serial NOR Flash
　　容量：32 Mbit
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：8-Pin SOIC, 8-Pin WSON, 16-Pin SOIC 等
　　接口类型：SPI, QPI
　　时钟频率：最高108 MHz
　　页编程大小：256 字节
　　扇区大小：4 KB
　　块大小：64 KB
　　写使能/禁止：支持
　　写保护功能：Volatile 和 Non-volatile
　　深度掉电模式：支持
　　状态寄存器：支持轮询标志位
　　擦除时间：典型值为40ms（4KB扇区）
　　编程时间：典型值为0.7ms（256字节）

N25Q032具备多项先进的电气与功能特性，使其在同类串行NOR闪存中表现出色。首先，它支持标准SPI模式以及高速QPI（Quad Peripheral Interface）模式，在QPI模式下可实现高达108MHz的时钟频率，数据吞吐率显著提升，适用于需要快速启动或实时加载代码的应用，如路由器固件、车载信息娱乐系统等。其次，该芯片支持多种读取指令，包括Fast Read、Dual Output Fast Read、Quad Output Fast Read、Dual IO Fast Read和Quad IO Fast Read，极大提升了数据访问灵活性与效率。在写入和擦除方面，N25Q032支持按页编程（256字节/页）和按扇区（4KB）、块（64KB）或整片擦除，且具有高效的内部算法优化擦写时间，典型扇区擦除时间为40ms，页编程时间约为0.7ms。此外，器件内置写保护机制，可通过软件设置WP#引脚功能、状态寄存器保护（SRP）、锁定寄存器等方式实现对特定地址区域的写入锁定，有效防止意外修改关键固件。
　　为了增强系统稳定性，N25Q032提供状态寄存器查询机制，允许主机通过轮询方式判断当前操作是否完成，避免盲目等待。同时，该芯片支持Vcc低压检测，在电源不稳定时自动进入写保护状态，防止数据损坏。其深度掉电模式（Deep Power-down Mode）可将待机电流降低至微安级别，非常适合便携式设备或长期待机系统使用。所有操作均符合工业级温度规范（-40°C ~ +85°C），部分版本还支持扩展温度范围，确保在极端环境下仍能可靠运行。另外，N25Q032采用环保材料封装，符合RoHS标准，并通过AEC-Q100等车规认证的部分型号可用于汽车电子系统。这些综合特性使得N25Q032不仅适用于常规嵌入式系统，也能胜任高可靠性要求的工业与车载应用场景。

N25Q032广泛应用于多个技术领域，尤其适合需要非易失性代码存储和快速启动能力的系统。在通信设备中，常用于存储路由器、交换机和基站的固件程序，利用其快速读取能力和多I/O接口提升系统启动速度和运行效率。在工业自动化领域，该芯片被集成于PLC控制器、HMI人机界面、传感器模块中，用于保存配置参数、校准数据及小型操作系统。消费类电子产品如智能电视、机顶盒、智能家居网关也采用N25Q032作为引导闪存，支持系统快速上电启动和安全更新。在汽车电子方面，部分符合AEC-Q100标准的衍生型号可用于仪表盘、ADAS辅助驾驶系统、车载导航和远程信息处理单元，提供可靠的代码存储方案。此外，在医疗设备、测试仪器和物联网终端设备中，N25Q032因其小尺寸封装和低功耗特性而备受青睐，能够在有限空间内实现高效稳定的非易失存储。由于其支持JEDEC标准指令集，易于与主流MCU（如ARM Cortex-M系列、ESP32、STM32等）配合使用，开发工具链成熟，因此在原型设计和量产项目中都具有很高的适配性和可维护性。

MX25L3206E,M25P32,W25Q32JV