时间：2025/8/30 14:32:35
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N2516-6002-RB 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统中。N2516-6002-RB 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了开关性能和导通损耗，适用于需要高可靠性和高效率的工业和消费类电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Ptot）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TSOP
引脚数：8
阈值电压（Vgs(th)）：1.4V @ Id=250μA
N2516-6002-RB 具备多项优良特性，使其在功率MOSFET中具有出色的性能表现。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。在Vgs=4.5V时，Rds(on)仅为28mΩ，这使得该器件适用于高电流负载的应用场景，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流和负载开关。
其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达6A，适用于中等功率级别的应用。同时，其具备良好的热稳定性和热阻性能，能够在较高功率条件下保持稳定运行。
再者，N2516-6002-RB采用TSOP封装，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适合在空间受限的电路板设计中使用。其8引脚配置有助于优化功率和信号引脚的布局，减少寄生电感，提高开关性能。
此外，该器件的栅极驱动电压兼容主流的逻辑电平控制电路（如微控制器、PWM控制器等），可在4.5V至12V的栅极驱动电压下正常工作，便于系统集成。
最后，N2516-6002-RB通过严格的可靠性测试，符合工业级标准，适用于各种高可靠性要求的电子产品。
N2516-6002-RB 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中。
在电源管理方面，该器件广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统中，利用其低导通电阻和高电流能力，可显著提高电源转换效率并降低发热。
在电机控制和驱动电路中，N2516-6002-RB 可用于H桥驱动电路或电机开关控制，其高耐压和快速开关特性可有效支持中低功率电机的控制需求。
此外，该MOSFET适用于各类工业自动化设备、智能家电、消费类电子产品以及嵌入式系统中的电源管理模块。例如，在便携式设备中，它可用于电池供电切换、背光驱动和USB电源控制等场景。
由于其具备良好的热稳定性和封装散热性能，N2516-6002-RB 也可用于高密度PCB布局环境下的功率开关应用，如LED驱动电路、电源适配器和无线充电模块等。
Si2302DS, IRF7309, FDS6675, NVTFS5C428NL, AO4406
