时间：2025/8/30 5:11:36
阅读：14
N2506-6002RB 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流应用。该器件采用先进的技术，具备低导通电阻和优异的开关性能，适用于电源管理、电机控制、电池充电和工业自动化等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω
栅极电荷（Qg）：32nC
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（Ptot）：50W
N2506-6002RB MOSFET具有多项显著的性能特点，首先是其低导通电阻（Rds(on)）为1.2Ω，这有助于降低导通损耗并提高能效。在高电压环境下，该器件能够承受高达600V的漏源电压（Vds），同时支持最大8A的漏极电流（Id），使其适用于高功率密度设计。
其次，该MOSFET的栅极电荷（Qg）为32nC，属于较低水平，这意味着其驱动电路所需的能量较小，从而加快了开关速度并降低了开关损耗。这对于高频开关应用（如DC-DC转换器、AC-DC电源和马达控制）尤为重要。
此外，N2506-6002RB采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应性强，适合工业级应用。器件的功率耗散为50W，确保在较高负载下仍能保持稳定运行。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保护自身免受损坏。这一特性对于需要承受高能量脉冲的应用（如感应负载开关和电机驱动）尤为重要。
N2506-6002RB广泛应用于多种高电压和高电流的电力电子系统中。例如，在电源管理领域，它可用于构建高效的AC-DC和DC-DC转换器，特别是在需要高效率和高可靠性的工业电源中。此外，该器件也适用于电机控制电路，如无刷直流电机驱动器和家用电器中的马达控制模块。
在电池充电系统中，N2506-6002RB可以作为主开关器件，用于控制充电电流和电压，适用于智能充电器和储能系统。由于其具备较高的电压和电流承受能力，该MOSFET也常用于照明控制系统，如LED驱动电源和电子镇流器。
在工业自动化设备中，该MOSFET可用于构建高可靠性的固态继电器和负载开关，适用于自动化控制柜、工业机器人和测试设备等场景。
STP8NK60Z, IRF840, FQA8N60C, 2SK2148
