N1NK80Z 时间：2025/7/23 7:14:26 阅读：11

N1NK80Z 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。这款器件采用了先进的沟槽栅极和电场缓冲器技术，以提供卓越的导通和开关性能。N1NK80Z 属于 N 沟道增强型 MOSFET，适合用于 DC-DC 转换器、电源管理、电机控制和工业自动化系统等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：800 V
　　最大连续漏极电流 (Id)：11 A
　　导通电阻 (Rds(on))：典型值为 0.65 Ω（在 Vgs = 10 V 条件下）
　　最大耗散功率：125 W
　　栅极电荷 (Qg)：约 48 nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

N1NK80Z 具备一系列高性能特性，使其适用于各种高功率应用。首先，其高耐压能力（800 V）使其能够在高电压环境下稳定工作，适合用于工业电源和高压转换器。其次，其导通电阻较低，典型值为 0.65 Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）约为 48 nC，支持快速开关操作，从而减少开关损耗，提高响应速度。
　　该 MOSFET 的热性能也值得称道。其最大耗散功率为 125 W，并且具备良好的热阻特性，确保在高功率运行时仍能保持稳定的温度表现。TO-220 封装形式不仅便于安装和散热，还具备良好的机械强度，适合工业环境下的长期运行。此外，N1NK80Z 的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，表明其具备良好的环境适应性，适用于多种极端温度条件下的应用。

应用

N1NK80Z 广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的使用场景包括工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）和电机控制模块。在开关电源中，N1NK80Z 用于主开关电路，以高效地进行功率转换和电压调节。在电机控制中，该 MOSFET 可用于 H 桥结构，实现电机的正反转和调速功能。此外，该器件也适用于感应加热设备中的高频开关电路，提供稳定的功率输出。