N1NB80 时间：2025/7/22 15:52:30 阅读：7

N1NB80是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电流开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。N1NB80的封装形式通常为DPAK或D2PAK，便于散热和高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　连续漏极电流（ID）：110A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V至4V
　　最大功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：DPAK/D2PAK

特性

N1NB80 MOSFET具备优异的导通和开关性能。其低导通电阻可降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽技术，确保在高电流条件下仍能保持稳定工作。此外，N1NB80具有高雪崩能量耐受能力，增强了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
　　N1NB80的热稳定性良好，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。该器件的快速开关特性使其适用于高频应用，减少开关损耗并提高响应速度。同时，N1NB80的封装设计优化了散热性能，适合高功率密度应用。
　　在保护特性方面，N1NB80具备过热保护和过流保护能力，能够在异常工作条件下自动降低导通能力，防止损坏。该MOSFET的高可靠性和耐用性使其成为工业电源、汽车电子和消费类电子设备中的理想选择。

应用

N1NB80广泛应用于多种高功率和高电流场合。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统、电源管理模块和工业自动化设备。此外，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。由于其高效率和高可靠性，N1NB80也适用于需要高效能功率开关的消费类电子产品，如高性能电源适配器和不间断电源（UPS）系统。