时间：2025/5/10 12:15:47
阅读：55
N16S-GTR-S-A2 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种高效率电源转换应用。其封装形式为 TO-220，适合表面贴装技术（SMT），能够在高温环境下稳定运行。
该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景，能够提供出色的性能表现。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：16A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：580pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
N16S-GTR-S-A2 的主要特点是低导通电阻，这可以显著降低传导损耗，从而提高整体系统的效率。同时，该器件具备较高的雪崩击穿能量，增强了其在异常情况下的耐用性。
此外，它还拥有快速开关特性，能有效减少开关损耗，并且具有优异的热稳定性，即使在极端条件下也能保持良好的性能表现。
该器件采用了优化的内部结构设计，进一步降低了寄生参数的影响，提升了动态性能。其坚固的封装形式也使其在恶劣环境中的可靠性得到了保障。
这款功率 MOSFET 适合用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理系统 (BMS)
4. 电机驱动控制
5. 汽车电子设备
6. 工业自动化与控制
N16S-GTR-S-A2 的高效能和高可靠性使其成为这些应用场景的理想选择。
N16S-GT-S-B2
N16S-GTR-C-A2
IRFZ44N
