时间：2025/12/27 10:58:40
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N08DPB120K是一款由Vishay Siliconix生产的高精度、低功耗的表面贴装薄膜片式电阻阵列。该器件属于N系列，专为需要高稳定性、低温漂系数和优异长期可靠性的精密模拟电路设计而开发。N08DPB120K采用先进的薄膜沉积技术制造，具备出色的电气性能和机械稳定性，适用于多种高性能电子系统中的信号调理、电压分压、反馈网络和阻抗匹配等应用。该电阻阵列封装在小型化的16引脚SOIC（Small Outline Integrated Circuit）封装中，便于在高密度PCB布局中使用，并提供良好的散热性能和焊接可靠性。
该型号的命名规则中，“N08D”表示其为8通道的薄膜电阻阵列，“PB”代表特定的封装形式与端接材料，“120K”表示单个电阻的标称阻值为120 kΩ，容差通常为±0.1%。其温度系数（TCR）低至±25 ppm/°C，确保在宽工作温度范围内保持稳定的电阻值，适用于对精度要求极高的工业测量设备、医疗仪器、测试与测量装置以及高端音频系统。此外，N08DPB120K具有优异的耐湿性和抗老化能力，符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，适合现代绿色电子产品制造流程。
类型：薄膜电阻阵列
通道数：8
阻值：120 kΩ
阻值公差：±0.1%
温度系数（TCR）：±25 ppm/°C
工作温度范围：-55°C 至 +155°C
存储温度范围：-65°C 至 +175°C
额定功率：0.1 W（每通道）
封装形式：16引脚 SOIC
端接材料：镍铬（NiCr）薄膜 + 银浆电极
绝缘电阻：>10 GΩ
耐电压：500 V RMS
焊接方式：表面贴装（SMT），支持回流焊
N08DPB120K具备卓越的电气稳定性和环境适应性，是高精度电子系统中不可或缺的关键元件之一。其核心优势在于采用了先进的镍铬（NiCr）薄膜沉积工艺，在陶瓷基板上形成均匀且致密的电阻层，从而实现极低的噪声水平和优异的高频响应特性。这种结构不仅有效抑制了寄生电感和电容的影响，还显著提升了器件在高频信号处理中的表现，使其适用于高速数据采集系统和射频前端电路中的阻抗匹配网络。
该器件的温度系数低至±25 ppm/°C，意味着即使在剧烈的温度变化下，其电阻值的变化也非常微小，这对于长时间运行或处于恶劣环境下的精密测量设备至关重要。例如，在工业自动化控制系统中，传感器信号的放大和调理依赖于高度稳定的反馈电阻，N08DPB120K能够确保运算放大器增益的长期一致性，避免因温度漂移导致的测量误差。
此外，N08DPB120K具有出色的长期稳定性，年漂移率低于±0.05%，远优于普通厚膜电阻。这一特性使得它非常适合用于校准设备、参考电压源和高精度ADC/DAC接口电路中，保障系统的可重复性和测量准确性。同时，由于其多通道集成设计，八个独立的120 kΩ电阻被精确匹配并封装在同一芯片内，极大减少了PCB空间占用，并提高了通道间的一致性，降低了装配误差。
在可靠性方面，该器件通过了严格的环境测试，包括高温高湿储存、温度循环和寿命加速试验，表现出优异的耐湿性和抗氧化能力。其绝缘电阻大于10 GΩ，漏电流极小，适用于高阻抗电路和微弱信号检测场合，如光电探测器前置放大器或生物电信号采集系统。整体设计兼顾了高性能、小型化和可制造性，满足现代高端电子设备对微型化和高可靠性的双重需求。
N08DPB120K广泛应用于对精度和稳定性要求极高的电子系统中。典型应用场景包括工业级数据采集系统中的信号调理电路，其中作为运算放大器的反馈电阻或输入分压网络，确保模拟信号的线性放大与精确转换。在医疗电子设备如心电图机（ECG）、脑电图仪（EEG）和病人监护仪中，该器件用于构建高输入阻抗的前置放大器，有效捕捉微伏级生物电信号，同时抑制共模干扰和热噪声。
在测试与测量仪器领域，如数字万用表、示波器和精密电源中，N08DPB120K常用于电压基准分压链或电流检测电路，提供长期稳定的参考比例，提升仪表的测量精度和重复性。其低温度系数和小体积也使其成为自动测试设备（ATE）中继电器驱动和通道切换模块的理想选择。
此外，在通信系统中，该电阻阵列可用于光模块内的跨阻放大器（TIA）偏置网络或阻抗匹配电路，确保高速信号传输的完整性。航空航天与国防电子系统中，因其具备宽温工作能力和高可靠性，也被用于惯性导航系统、雷达信号处理单元和卫星通信终端等关键子系统中。高端音频设备如专业调音台和高保真音响系统中，N08DPB120K用于音量控制后的缓冲级或滤波网络，减少失真并提升声音还原度。
N08DPB120J
N08DPB121K
MAX5490AEUB+
VSR16M120K
