N05DB470K 时间：2025/12/27 9:58:59 阅读：18

N05DB470K是一款由Novacap公司生产的高性能陶瓷电容器，属于多层陶瓷电容器（MLCC）类别。该器件专为高电压、高稳定性和低损耗的应用环境设计，广泛应用于工业、医疗、航空航天以及高端通信设备中。N05DB470K采用稳定的NPO（COG）陶瓷介质材料，具备极佳的温度稳定性、频率稳定性和时间稳定性，适合在要求严苛的电路中作为滤波、耦合、旁路或谐振元件使用。该电容器的封装形式符合行业标准尺寸，便于自动化贴装，并具备良好的机械强度和抗热冲击能力。其额定电压为500V DC，标称电容值为47pF，公差为±10%，适用于需要精密电容值控制的射频和模拟电路设计。由于其优异的电气性能和可靠性，N05DB470K常被用于高精度定时电路、匹配网络、传感器信号调理以及高频开关电源中的去耦应用。

参数

电容值：47pF
　　容差：±10%
　　额定电压：500V DC
　　介质材料：NPO（COG）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 RC ≥ 1000S（取较小值）
　　耐电压：1.5倍额定电压，5秒无击穿或闪络
　　等效串联电阻（ESR）：低
　　自谐振频率（SRF）：典型值高于数百MHz
　　封装尺寸：符合EIA 0805标准（2012公制）
　　端接类型：镍阻挡层，焊料可润湿端接
　　可焊性：符合IEC 60068-2-20标准
　　耐焊接热：符合IEC 60068-2-20要求

特性

N05DB470K所采用的NPO（COG）陶瓷介质是目前最稳定的电容器介质之一，具有近乎线性的温度响应特性，其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内变化极小，通常不超过±30ppm/°C，确保了在极端环境下的长期稳定性。这种稳定性使得该电容器非常适合用于对频率敏感的振荡电路、滤波器和射频匹配网络中，能够有效避免因温度波动引起的系统漂移问题。此外，NPO介质还表现出极低的介质吸收率和介电损耗（tanδ ≤ 0.15%），这有助于提高信号完整性，减少能量损耗，特别适用于高Q值电路和精密模拟前端设计。
　　N05DB470K具备高达500V的直流额定电压，使其能够在高压信号路径中安全运行，例如在功率放大器输出端的耦合电路或高压偏置电路中提供可靠的电容支持。同时，其47pF的小容量与高电压特性相结合，可在高频应用中保持良好的阻抗特性和较高的自谐振频率，从而在GHz频段内仍能发挥出色的性能表现。该器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环和寿命试验，确保在恶劣环境下的长期工作可靠性。
　　结构上，N05DB470K采用多层叠膜工艺制造，内部电极交替堆叠并烧结成一体，提升了机械强度和抗热应力能力。端电极为双层金属化结构，通常包含铜内电极和外部镍阻挡层加锡镀层，不仅增强了可焊性，还能有效防止银离子迁移和腐蚀现象的发生。这种设计也使其兼容无铅回流焊接工艺，满足RoHS环保要求。总体而言，N05DB470K是一款集高电压、高稳定性、低损耗和高可靠性于一体的精密陶瓷电容器，适用于各种高性能电子系统的设计需求。

应用

N05DB470K因其卓越的电气性能和环境适应能力，广泛应用于多个高端技术领域。在射频和微波通信系统中，它常被用作LC谐振电路中的调谐电容、天线匹配网络中的补偿元件或滤波器中的固定电容，以确保信号传输的稳定性和高效性。在精密仪器仪表领域，如示波器、信号发生器和频谱分析仪中，该电容器用于时钟振荡电路和参考频率生成模块，保障系统的频率准确度和长期稳定性。
　　在工业控制系统中，N05DB470K可用于传感器信号调理电路中的耦合与滤波，特别是在高温或强电磁干扰环境下，其稳定的电容特性可显著提升测量精度。在医疗电子设备中，如超声成像系统和病人监护仪，该器件用于高频信号处理路径，确保生物电信号的高质量采集与传输。
　　此外，在航空航天和国防电子系统中，N05DB470K凭借其高可靠性和抗辐射潜力，常用于雷达前端、卫星通信模块和飞行控制单元中的关键电路。在高压电源管理系统中，该电容器也可作为去耦或滤波元件，抑制高频噪声并稳定供电电压。总之，凡是需要在宽温范围、高电压条件下保持电容值高度稳定的场合，N05DB470K都是理想的选择。