MY83HC 时间：2025/12/28 13:18:40 阅读：16

MY83HC是一款由Micro Commercial Components（MCC）生产的N沟道场效应晶体管（MOSFET），常用于小信号开关和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。MY83HC适用于便携式电子设备、电源管理系统、LED驱动电路以及各类DC-DC转换器中。其封装形式通常为SOT-23或类似的小型表面贴装封装，便于在紧凑的PCB布局中使用。该MOSFET设计注重能效与可靠性，在低电压控制逻辑接口下仍能实现高效的导通性能，适合现代低功耗电子产品的需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：5.1A
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：37mΩ @ Vgs=10V, Id=2.5A
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极输入电容（Ciss）：450pF @ Vds=15V
　　功率耗散（Pd）：1.25W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

MY83HC采用高性能沟槽结构工艺，显著降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其低阈值电压特性使其能够兼容3.3V或更低的逻辑电平控制信号，非常适合嵌入式系统和电池供电设备中的开关控制应用。器件具备快速开关能力，上升时间和下降时间短，有助于减少开关过程中的能量损耗，尤其适用于高频PWM调光或高频DC-DC转换场景。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，结合SOT-23封装的小尺寸优势，实现了高功率密度的设计目标。同时，器件内部结构经过优化，具备较强的抗静电能力（ESD保护），提升了在实际生产与使用过程中的可靠性。此外，MY83HC在制造过程中符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于对环保要求较高的消费类电子产品。
　　由于其优异的电气特性和封装紧凑性，MY83HC广泛应用于手持设备、智能家居模块、无线传感器节点、USB电源开关、负载开关电路等领域。对于需要频繁启停或动态调节负载的应用，该器件表现出色，能有效延长电池寿命并提升系统响应速度。