时间：2025/7/16 18:19:48
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MX2N4416A 是一种常用的场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用N沟道结构，具有良好的导通特性和较高的电流承载能力，适用于各种中低功率的电子设备和系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：最大50V
栅源电压（VGS）：最大±20V
漏极电流（ID）：最大17A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：约0.022Ω（典型值）
功率耗散（PD）：最大70W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220AB
MX2N4416A 具有低导通电阻，可以显著减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高负载应用。此外，该MOSFET具有较快的开关速度，能够在高频环境下稳定工作。其TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于需要高可靠性的电源转换和电机控制应用。
该器件通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器以及各种开关电源电路。它也适用于工业控制、汽车电子和消费类电子设备中的功率开关应用。
IRFZ44N, STP16NF06, FDPF4416
